核电子学与探测技术
覈電子學與探測技術
핵전자학여탐측기술
NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
2008年
6期
1167-1170
,共4页
刘梦新%韩郑生%刘刚%蔡小五%王立新%夏洋
劉夢新%韓鄭生%劉剛%蔡小五%王立新%夏洋
류몽신%한정생%류강%채소오%왕립신%하양
功率MOSFET%单粒子烧毁%单粒子栅穿%总剂量辐照效应
功率MOSFET%單粒子燒燬%單粒子柵穿%總劑量輻照效應
공솔MOSFET%단입자소훼%단입자책천%총제량복조효응
报道了一种抗辐射功率MOSFET,通过与国外同类产品的锎源以及钴辐照试验对比,其抗总剂量水平和抗单粒子能力均已达到国际领先水平.并深入研究了单粒子烧毁、单粒子栅穿以及总剂量辐照的机理,提出了大功率MOSFET抗总剂量及单粒子辐射的加固方法.
報道瞭一種抗輻射功率MOSFET,通過與國外同類產品的锎源以及鈷輻照試驗對比,其抗總劑量水平和抗單粒子能力均已達到國際領先水平.併深入研究瞭單粒子燒燬、單粒子柵穿以及總劑量輻照的機理,提齣瞭大功率MOSFET抗總劑量及單粒子輻射的加固方法.
보도료일충항복사공솔MOSFET,통과여국외동류산품적개원이급고복조시험대비,기항총제량수평화항단입자능력균이체도국제령선수평.병심입연구료단입자소훼、단입자책천이급총제량복조적궤리,제출료대공솔MOSFET항총제량급단입자복사적가고방법.
