吉林大学学报（信息科学版）
吉林大學學報（信息科學版）
길림대학학보（신식과학판）
JOURNAL OF JILIN UNIVERSITY(INFORMATION SCIENCE EDITION)
2010年
4期
365-371
,共7页
唐威%刘佑宝%吴龙胜%赵德益%卢红利
唐威%劉祐寶%吳龍勝%趙德益%盧紅利
당위%류우보%오룡성%조덕익%로홍리
抗辐射加固%绝缘体上硅%源漏非对称注入%H型栅%标准单元
抗輻射加固%絕緣體上硅%源漏非對稱註入%H型柵%標準單元
항복사가고%절연체상규%원루비대칭주입%H형책%표준단원
为提高空间环境下电子设备的可靠性,提升抗辐射加固SOI(Silicon on Insulator)集成电路的设计效率,通过构建完整的建库流程,自主设计开发了基于3.3 V-0.35 μm-PD(Partly) SOI CMOS(Complementary Metal-Semiconductor)工艺平台,并面向Synopsys电子设计自动化软件的抗辐射加固标准单元库.标准单元采用H型栅及源漏非对称注入结构,以提高抗辐射性能,最后对该单元库进行了电子设计自动化工具流程验证和测试验证.实验结果表明,检错纠错验证电路功能符合设计要求,抗总剂量水平大于300 krad (Si).
為提高空間環境下電子設備的可靠性,提升抗輻射加固SOI(Silicon on Insulator)集成電路的設計效率,通過構建完整的建庫流程,自主設計開髮瞭基于3.3 V-0.35 μm-PD(Partly) SOI CMOS(Complementary Metal-Semiconductor)工藝平檯,併麵嚮Synopsys電子設計自動化軟件的抗輻射加固標準單元庫.標準單元採用H型柵及源漏非對稱註入結構,以提高抗輻射性能,最後對該單元庫進行瞭電子設計自動化工具流程驗證和測試驗證.實驗結果錶明,檢錯糾錯驗證電路功能符閤設計要求,抗總劑量水平大于300 krad (Si).
위제고공간배경하전자설비적가고성,제승항복사가고SOI(Silicon on Insulator)집성전로적설계효솔,통과구건완정적건고류정,자주설계개발료기우3.3 V-0.35 μm-PD(Partly) SOI CMOS(Complementary Metal-Semiconductor)공예평태,병면향Synopsys전자설계자동화연건적항복사가고표준단원고.표준단원채용H형책급원루비대칭주입결구,이제고항복사성능,최후대해단원고진행료전자설계자동화공구류정험증화측시험증.실험결과표명,검착규착험증전로공능부합설계요구,항총제량수평대우300 krad (Si).
