光子学报
光子學報
광자학보
ACTA PHOTONICA SINICA
2011年
9期
1312-1316
,共5页
王飞%田一光%张乔%赵文光
王飛%田一光%張喬%趙文光
왕비%전일광%장교%조문광
发光%硅酸盐%锶长石%镓置换%Eu2+
髮光%硅痠鹽%鍶長石%鎵置換%Eu2+
발광%규산염%송장석%가치환%Eu2+
采用高温固相法在弱还原气氛下制备了Sr0.955Al2-xGaxSi2O8:Eu2+ (x=0~1.0)系列荧光粉,研究了Ga3+置换铝Al3+对晶体结构和光谱特性的影响.Ga3+进入SrAl2Si2O8晶格与Al3+发生类质同相替代使晶胞参量a、b、c、β和晶胞体积V都随Ga3+置换量呈线性增大,表明形成了连续固溶体.镓置换铝对晶胞参量c的影响最明显,b其次,a最小.Eu2+的宽带激发光谱位于230~400 nm,表观峰值位于350 nm,可由267 nm、305 nm、350 nm和375 nm四个峰拟合而成.随着镓置换量增加,较短波长的三个激发峰发生红移并且267 nm和350 nm峰强度减弱,305 nm峰强度明显增强,375 nm峰位和强度基本不变,表观激发峰半高宽由109 nm减小至98 nm,基本不随镓置换量变化.发射光谱位于380~600 nm为不对称宽带,可由406 nm和441 nm两峰拟合而成并且随Ga3+置换量增加线性红移,拟合发射光谱峰面积之比线性递增,Ga3+进入晶格对较长波长发射中心影响较大.Ga3+置换量为1.0 mol时,表观发射峰位从407 nm线性红移至422 nm,表观峰值随Ga3+置换量线性增大,半高宽由58 nm增加至79 nm.镓置换铝造成Eu-O距离变小,发光中心Eu2+所处晶体场增强,5d轨道能级分裂变大,最低发射能级下移.
採用高溫固相法在弱還原氣氛下製備瞭Sr0.955Al2-xGaxSi2O8:Eu2+ (x=0~1.0)繫列熒光粉,研究瞭Ga3+置換鋁Al3+對晶體結構和光譜特性的影響.Ga3+進入SrAl2Si2O8晶格與Al3+髮生類質同相替代使晶胞參量a、b、c、β和晶胞體積V都隨Ga3+置換量呈線性增大,錶明形成瞭連續固溶體.鎵置換鋁對晶胞參量c的影響最明顯,b其次,a最小.Eu2+的寬帶激髮光譜位于230~400 nm,錶觀峰值位于350 nm,可由267 nm、305 nm、350 nm和375 nm四箇峰擬閤而成.隨著鎵置換量增加,較短波長的三箇激髮峰髮生紅移併且267 nm和350 nm峰彊度減弱,305 nm峰彊度明顯增彊,375 nm峰位和彊度基本不變,錶觀激髮峰半高寬由109 nm減小至98 nm,基本不隨鎵置換量變化.髮射光譜位于380~600 nm為不對稱寬帶,可由406 nm和441 nm兩峰擬閤而成併且隨Ga3+置換量增加線性紅移,擬閤髮射光譜峰麵積之比線性遞增,Ga3+進入晶格對較長波長髮射中心影響較大.Ga3+置換量為1.0 mol時,錶觀髮射峰位從407 nm線性紅移至422 nm,錶觀峰值隨Ga3+置換量線性增大,半高寬由58 nm增加至79 nm.鎵置換鋁造成Eu-O距離變小,髮光中心Eu2+所處晶體場增彊,5d軌道能級分裂變大,最低髮射能級下移.
채용고온고상법재약환원기분하제비료Sr0.955Al2-xGaxSi2O8:Eu2+ (x=0~1.0)계렬형광분,연구료Ga3+치환려Al3+대정체결구화광보특성적영향.Ga3+진입SrAl2Si2O8정격여Al3+발생류질동상체대사정포삼량a、b、c、β화정포체적V도수Ga3+치환량정선성증대,표명형성료련속고용체.가치환려대정포삼량c적영향최명현,b기차,a최소.Eu2+적관대격발광보위우230~400 nm,표관봉치위우350 nm,가유267 nm、305 nm、350 nm화375 nm사개봉의합이성.수착가치환량증가,교단파장적삼개격발봉발생홍이병차267 nm화350 nm봉강도감약,305 nm봉강도명현증강,375 nm봉위화강도기본불변,표관격발봉반고관유109 nm감소지98 nm,기본불수가치환량변화.발사광보위우380~600 nm위불대칭관대,가유406 nm화441 nm량봉의합이성병차수Ga3+치환량증가선성홍이,의합발사광보봉면적지비선성체증,Ga3+진입정격대교장파장발사중심영향교대.Ga3+치환량위1.0 mol시,표관발사봉위종407 nm선성홍이지422 nm,표관봉치수Ga3+치환량선성증대,반고관유58 nm증가지79 nm.가치환려조성Eu-O거리변소,발광중심Eu2+소처정체장증강,5d궤도능급분렬변대,최저발사능급하이.