电子器件
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전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2011年
5期
494-497
,共4页
铁电薄膜%铁电存储器%钛酸铋%溶胶-凝胶工艺%B位掺杂%铌元素
鐵電薄膜%鐵電存儲器%鈦痠鉍%溶膠-凝膠工藝%B位摻雜%鈮元素
철전박막%철전존저기%태산필%용효-응효공예%B위참잡%니원소
基于MFS结构铁电存储器的需要,采用溶胶-凝胶工艺,在p-Si衬底上制备了对Bi4Ti3O12进行B位Ti元素铌元素取代的铁电薄膜,并电镀上银电极构成MFS结构.研究了掺杂浓度对薄膜的微观结构及铁电性能的影响.研究表明,650℃进行退火的BTN薄膜生长形态良好；2％掺杂取代的薄膜铁电性能最佳,剩余极化强度Pr可达到19.01μC/cm2,矫顽场为200 kV/cm.
基于MFS結構鐵電存儲器的需要,採用溶膠-凝膠工藝,在p-Si襯底上製備瞭對Bi4Ti3O12進行B位Ti元素鈮元素取代的鐵電薄膜,併電鍍上銀電極構成MFS結構.研究瞭摻雜濃度對薄膜的微觀結構及鐵電性能的影響.研究錶明,650℃進行退火的BTN薄膜生長形態良好；2％摻雜取代的薄膜鐵電性能最佳,剩餘極化彊度Pr可達到19.01μC/cm2,矯頑場為200 kV/cm.
기우MFS결구철전존저기적수요,채용용효-응효공예,재p-Si츤저상제비료대Bi4Ti3O12진행B위Ti원소니원소취대적철전박막,병전도상은전겁구성MFS결구.연구료참잡농도대박막적미관결구급철전성능적영향.연구표명,650℃진행퇴화적BTN박막생장형태량호；2％참잡취대적박막철전성능최가,잉여겁화강도Pr가체도19.01μC/cm2,교완장위200 kV/cm.
