GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析
GaN/AlGaN초정격투사전경분석
TEM Analysis on GaN/AlGaN SLS
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2005年 z1期 28-31 ,共4页

    陈伟华%胡晓东%章蓓%黎子兰%潘尧波%胡成余%王琦%陆羽%陆敏%杨志坚%张国义

    진위화%호효동%장배%려자란%반요파%호성여%왕기%륙우%륙민%양지견%장국의

    GaN/AlGaN超晶格%透射电镜%激光剥离 GaN/AlGaN超晶格%透射電鏡%激光剝離
    GaN/AlGaN초정격%투사전경%격광박리
    用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了清晰的超晶格及晶胞周期结构,电子衍射也表明生长的超晶格样品质量较好.在透射电镜图中看到了Al,Ga原子的聚居点,这些聚居点达到应力临界时将可能成为新缺陷的起点.同时观察到GaN缓冲层中的线缺陷大多呈现弯曲的弧形,这是外延生长导致的.
    용MOCVD법생장료120주기적GaN/Al0.14Ga0.86N초정격,격광박리기술피유효지용우GaN/AlGaN초정격절면투사전경양품적제작.용투사전자현미경관찰도료청석적초정격급정포주기결구,전자연사야표명생장적초정격양품질량교호.재투사전경도중간도료Al,Ga원자적취거점,저사취거점체도응력림계시장가능성위신결함적기점.동시관찰도GaN완충층중적선결함대다정현만곡적호형,저시외연생장도치적.
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