真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2006年
4期
326-329
,共4页
颜官超%丁斯晔%朱晓东%周海洋%温晓辉%丁芳
顏官超%丁斯曄%硃曉東%週海洋%溫曉輝%丁芳
안관초%정사엽%주효동%주해양%온효휘%정방
α-SiC%纳米%HMDSO
α-SiC%納米%HMDSO
α-SiC%납미%HMDSO
本文利用六甲基二硅氧烷(HMDSO)作为先驱物质、氢气为稀释气体,进行了等离子体化学气相沉积碳硅薄膜的实验研究.运用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜和X射线光电子能谱对薄膜的成份和结构进行了分析.结果表明,在生长温度为750℃的条件下成功地得到了纳米α-SiC沉积,碳化硅晶粒被包覆在非晶的SiOxCy:H成分中.薄膜由椭球状的颗粒组成,且随着HMDSO比例的增加,薄膜的结晶度和表面均匀性都得到改善.高流量氢气和HMDSO单体的使用被认为有效地促进了α-SiC晶体的形成.
本文利用六甲基二硅氧烷(HMDSO)作為先驅物質、氫氣為稀釋氣體,進行瞭等離子體化學氣相沉積碳硅薄膜的實驗研究.運用X射線衍射、拉曼光譜、掃描電子顯微鏡和X射線光電子能譜對薄膜的成份和結構進行瞭分析.結果錶明,在生長溫度為750℃的條件下成功地得到瞭納米α-SiC沉積,碳化硅晶粒被包覆在非晶的SiOxCy:H成分中.薄膜由橢毬狀的顆粒組成,且隨著HMDSO比例的增加,薄膜的結晶度和錶麵均勻性都得到改善.高流量氫氣和HMDSO單體的使用被認為有效地促進瞭α-SiC晶體的形成.
본문이용륙갑기이규양완(HMDSO)작위선구물질、경기위희석기체,진행료등리자체화학기상침적탄규박막적실험연구.운용X사선연사、랍만광보、소묘전자현미경화X사선광전자능보대박막적성빈화결구진행료분석.결과표명,재생장온도위750℃적조건하성공지득도료납미α-SiC침적,탄화규정립피포복재비정적SiOxCy:H성분중.박막유타구상적과립조성,차수착HMDSO비례적증가,박막적결정도화표면균균성도득도개선.고류량경기화HMDSO단체적사용피인위유효지촉진료α-SiC정체적형성.
