电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2010年
5期
64-66
,共3页
任凌云%佘希林%王士财%孙瑾
任凌雲%佘希林%王士財%孫瑾
임릉운%사희림%왕사재%손근
AAO模板%DC电沉积法%Fe纳米线%阵列
AAO模闆%DC電沉積法%Fe納米線%陣列
AAO모판%DC전침적법%Fe납미선%진렬
为了制备结构规整的Fe纳米线阵列,以多孔阳极氧化铝(AAO)为模板,采用直流电沉积法制备了Fe纳米线阵列,并利用SEM、TEM、XRD等测试手段对其微观形貌和结构进行了表征.结果表明:所得的Fe纳米线阵列结构规整、直径与模板孔径基本一致,约为250 nm,是结构紧密的多晶体.
為瞭製備結構規整的Fe納米線陣列,以多孔暘極氧化鋁(AAO)為模闆,採用直流電沉積法製備瞭Fe納米線陣列,併利用SEM、TEM、XRD等測試手段對其微觀形貌和結構進行瞭錶徵.結果錶明:所得的Fe納米線陣列結構規整、直徑與模闆孔徑基本一緻,約為250 nm,是結構緊密的多晶體.
위료제비결구규정적Fe납미선진렬,이다공양겁양화려(AAO)위모판,채용직류전침적법제비료Fe납미선진렬,병이용SEM、TEM、XRD등측시수단대기미관형모화결구진행료표정.결과표명:소득적Fe납미선진렬결구규정、직경여모판공경기본일치,약위250 nm,시결구긴밀적다정체.
