电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2011年
12期
1-5
,共5页
铌酸锶钡%二氧化锆%微结构%介电性能
鈮痠鍶鋇%二氧化鋯%微結構%介電性能
니산송패%이양화고%미결구%개전성능
采用传统固相法制备了Sr0.3 Ba0.7Nb2-yZryO6-y/2(SBNZ)(0≤y≤0.50)陶瓷.研究了Zr掺杂对SBNZ陶瓷微观结构和介电性能的影响.结果表明:y≤0.10时,Zr固溶到SBNZ晶体结构,使陶瓷晶格发生畸变并引起晶粒异常长大；y=0.30时,第二相Ba3ZrNb4O15的生成抑制了晶粒的异常长大.随Zr掺杂量的增加,SBNZ陶瓷的最大介电常数总体上呈先降后升的变化趋势,其室温介电常数则增加,另外,居里温度向室温移动..
採用傳統固相法製備瞭Sr0.3 Ba0.7Nb2-yZryO6-y/2(SBNZ)(0≤y≤0.50)陶瓷.研究瞭Zr摻雜對SBNZ陶瓷微觀結構和介電性能的影響.結果錶明:y≤0.10時,Zr固溶到SBNZ晶體結構,使陶瓷晶格髮生畸變併引起晶粒異常長大；y=0.30時,第二相Ba3ZrNb4O15的生成抑製瞭晶粒的異常長大.隨Zr摻雜量的增加,SBNZ陶瓷的最大介電常數總體上呈先降後升的變化趨勢,其室溫介電常數則增加,另外,居裏溫度嚮室溫移動..
채용전통고상법제비료Sr0.3 Ba0.7Nb2-yZryO6-y/2(SBNZ)(0≤y≤0.50)도자.연구료Zr참잡대SBNZ도자미관결구화개전성능적영향.결과표명:y≤0.10시,Zr고용도SBNZ정체결구,사도자정격발생기변병인기정립이상장대；y=0.30시,제이상Ba3ZrNb4O15적생성억제료정립적이상장대.수Zr참잡량적증가,SBNZ도자적최대개전상수총체상정선강후승적변화추세,기실온개전상수칙증가,령외,거리온도향실온이동..
