半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2005年
2期
17-20
,共4页
曾明刚%陈松岩%林爱清%邓彩玲%蔡贝妮
曾明剛%陳鬆巖%林愛清%鄧綵玲%蔡貝妮
증명강%진송암%림애청%산채령%채패니
X射线光电子能谱%杂质中心%Si基材料
X射線光電子能譜%雜質中心%Si基材料
X사선광전자능보%잡질중심%Si기재료
应用X射线光电子能谱(XPS)研究Si基ZnS:Cu,Er薄膜的化学元素组成、分布和价态,认为Cu元素只有少数部分进入晶格中替代Zn2+起激活剂的作用,Er元素在ZnS基质中分布不均匀,且会与氧结合.PL测试发现样品发绿光,主要发光峰出现劈裂,对研究薄膜中的杂质中心、实现Si基发光有参考意义.
應用X射線光電子能譜(XPS)研究Si基ZnS:Cu,Er薄膜的化學元素組成、分佈和價態,認為Cu元素隻有少數部分進入晶格中替代Zn2+起激活劑的作用,Er元素在ZnS基質中分佈不均勻,且會與氧結閤.PL測試髮現樣品髮綠光,主要髮光峰齣現劈裂,對研究薄膜中的雜質中心、實現Si基髮光有參攷意義.
응용X사선광전자능보(XPS)연구Si기ZnS:Cu,Er박막적화학원소조성、분포화개태,인위Cu원소지유소수부분진입정격중체대Zn2+기격활제적작용,Er원소재ZnS기질중분포불균균,차회여양결합.PL측시발현양품발록광,주요발광봉출현벽렬,대연구박막중적잡질중심、실현Si기발광유삼고의의.
