物理学报
物理學報
물이학보
2006年
9期
4496-4450
,共-45页
袁勇波%刘玉真%邓开明%杨金龙
袁勇波%劉玉真%鄧開明%楊金龍
원용파%류옥진%산개명%양금룡
团簇%光电子能谱%基态%激发态
糰簇%光電子能譜%基態%激髮態
단족%광전자능보%기태%격발태
应用含时密度泛函理论研究了SiN团簇低能激发态的性质.将计算结果与前人已有的计算结果进行了比较,此外还根据计算得到的低能激发能对SiN- 阴离子的光电子能谱进行了理论指认.研究表明,SiN- 阴离子的基态为1Σ态,而光电子能谱上的X峰和A峰分别对应于1Σ→2Σ和1Σ→2Π的跃迁.研究结果还表明,用含时密度泛函的方法来处理激发态的问题是成功的.
應用含時密度汎函理論研究瞭SiN糰簇低能激髮態的性質.將計算結果與前人已有的計算結果進行瞭比較,此外還根據計算得到的低能激髮能對SiN- 陰離子的光電子能譜進行瞭理論指認.研究錶明,SiN- 陰離子的基態為1Σ態,而光電子能譜上的X峰和A峰分彆對應于1Σ→2Σ和1Σ→2Π的躍遷.研究結果還錶明,用含時密度汎函的方法來處理激髮態的問題是成功的.
응용함시밀도범함이론연구료SiN단족저능격발태적성질.장계산결과여전인이유적계산결과진행료비교,차외환근거계산득도적저능격발능대SiN- 음리자적광전자능보진행료이론지인.연구표명,SiN- 음리자적기태위1Σ태,이광전자능보상적X봉화A봉분별대응우1Σ→2Σ화1Σ→2Π적약천.연구결과환표명,용함시밀도범함적방법래처리격발태적문제시성공적.
