人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2008年
2期
435-440
,共6页
宋晓岚%刘宏燕%杨海平%岳汉威%邱冠周
宋曉嵐%劉宏燕%楊海平%嶽漢威%邱冠週
송효람%류굉연%양해평%악한위%구관주
n(111)硅片%纳米SiO2浆料%电化学%腐蚀
n(111)硅片%納米SiO2漿料%電化學%腐蝕
n(111)규편%납미SiO2장료%전화학%부식
采用电化学直流极化和交流阻抗技术,研究了n型(111)半导体硅片在不同条件纳米SiO2浆料中的电化学腐蚀性能.结果表明,浆料的pH值、温度、磨粒固含量以及金属杂质离子等因素都不同程度地影响硅片的腐蚀行为.随pH值增加、温度提高和磨粒固含量降低,其腐蚀电流增大,交流阻抗减小,硅片腐蚀较易进行;微量金属杂质离子的存在也会加速硅片的腐蚀.
採用電化學直流極化和交流阻抗技術,研究瞭n型(111)半導體硅片在不同條件納米SiO2漿料中的電化學腐蝕性能.結果錶明,漿料的pH值、溫度、磨粒固含量以及金屬雜質離子等因素都不同程度地影響硅片的腐蝕行為.隨pH值增加、溫度提高和磨粒固含量降低,其腐蝕電流增大,交流阻抗減小,硅片腐蝕較易進行;微量金屬雜質離子的存在也會加速硅片的腐蝕.
채용전화학직류겁화화교류조항기술,연구료n형(111)반도체규편재불동조건납미SiO2장료중적전화학부식성능.결과표명,장료적pH치、온도、마립고함량이급금속잡질리자등인소도불동정도지영향규편적부식행위.수pH치증가、온도제고화마립고함량강저,기부식전류증대,교류조항감소,규편부식교역진행;미량금속잡질리자적존재야회가속규편적부식.
