现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2008年
11期
56-59,62
,共5页
孙宇%陈华君%吴孙桃%郭东辉
孫宇%陳華君%吳孫桃%郭東輝
손우%진화군%오손도%곽동휘
射频集成电路%低噪声放大器%增益自适应%CMOS
射頻集成電路%低譟聲放大器%增益自適應%CMOS
사빈집성전로%저조성방대기%증익자괄응%CMOS
高频低噪声放大器(LNA)是无线通讯设备关键器件之一.由于无线通讯设备特别是移动通讯设备使用环境的条件限制,往往需要LNA器件具有自适应增益功能,以保证接收信号的稳定性.拟设计一款具有自适应增益控制的高频LNA单片集成电路,以TSMC 0.18 μm的RF-CMOS器件模型和工艺参数,给出一个增益范围在O～17 dB、噪声抑制比为0.2 dB,适用于DCS1800手机中的1.8 GHz增益自适应CMOS放大器电路.
高頻低譟聲放大器(LNA)是無線通訊設備關鍵器件之一.由于無線通訊設備特彆是移動通訊設備使用環境的條件限製,往往需要LNA器件具有自適應增益功能,以保證接收信號的穩定性.擬設計一款具有自適應增益控製的高頻LNA單片集成電路,以TSMC 0.18 μm的RF-CMOS器件模型和工藝參數,給齣一箇增益範圍在O～17 dB、譟聲抑製比為0.2 dB,適用于DCS1800手機中的1.8 GHz增益自適應CMOS放大器電路.
고빈저조성방대기(LNA)시무선통신설비관건기건지일.유우무선통신설비특별시이동통신설비사용배경적조건한제,왕왕수요LNA기건구유자괄응증익공능,이보증접수신호적은정성.의설계일관구유자괄응증익공제적고빈LNA단편집성전로,이TSMC 0.18 μm적RF-CMOS기건모형화공예삼수,급출일개증익범위재O～17 dB、조성억제비위0.2 dB,괄용우DCS1800수궤중적1.8 GHz증익자괄응CMOS방대기전로.
