半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
10期
872-875
,共4页
PZT薄膜%界面层%铂溅射温度%二氧化钛%退火温度
PZT薄膜%界麵層%鉑濺射溫度%二氧化鈦%退火溫度
PZT박막%계면층%박천사온도%이양화태%퇴화온도
采用了一种新的界面层电容计算方法来提取PZT薄膜与电极之间的界面层电容,使用这种方法对不同工艺条件下制备的PZT薄膜界面层电容进行了比较.通过实验发现,不同的Pt溅射温度和PZT薄膜的退火温度都会对PZT薄膜与电极之间的界面层产生影响.高温溅射Pt会破坏Pt衬底中的TiO2结构,并导致PZT薄膜与电极之间的界面层特性变差;PZT薄膜600℃退火得到的薄膜表面均匀致密,界面层电容值最大.通过不同工艺条件下PZT薄膜界面层电容的提取比较,获得了调整PZT薄膜工艺条件的优化参数.
採用瞭一種新的界麵層電容計算方法來提取PZT薄膜與電極之間的界麵層電容,使用這種方法對不同工藝條件下製備的PZT薄膜界麵層電容進行瞭比較.通過實驗髮現,不同的Pt濺射溫度和PZT薄膜的退火溫度都會對PZT薄膜與電極之間的界麵層產生影響.高溫濺射Pt會破壞Pt襯底中的TiO2結構,併導緻PZT薄膜與電極之間的界麵層特性變差;PZT薄膜600℃退火得到的薄膜錶麵均勻緻密,界麵層電容值最大.通過不同工藝條件下PZT薄膜界麵層電容的提取比較,穫得瞭調整PZT薄膜工藝條件的優化參數.
채용료일충신적계면층전용계산방법래제취PZT박막여전겁지간적계면층전용,사용저충방법대불동공예조건하제비적PZT박막계면층전용진행료비교.통과실험발현,불동적Pt천사온도화PZT박막적퇴화온도도회대PZT박막여전겁지간적계면층산생영향.고온천사Pt회파배Pt츤저중적TiO2결구,병도치PZT박막여전겁지간적계면층특성변차;PZT박막600℃퇴화득도적박막표면균균치밀,계면층전용치최대.통과불동공예조건하PZT박막계면층전용적제취비교,획득료조정PZT박막공예조건적우화삼수.
