固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2008年
3期
372-376
,共5页
郑惟彬%李拂晓%李辉%沈亚%潘晓枫%沈宏昌
鄭惟彬%李拂曉%李輝%瀋亞%潘曉楓%瀋宏昌
정유빈%리불효%리휘%침아%반효풍%침굉창
砷化镓%庸配高电子迁移率晶体管%开关模型
砷化鎵%庸配高電子遷移率晶體管%開關模型
신화가%용배고전자천이솔정체관%개관모형
借助于传统的FET等效电路模型.给出了0.25μmGaAs PHEMT的开关模型,并在ICCAP和ADS软件中,完成等效电路参数的提取与优化.通过对单刀单掷(SPST)开关的仿真和测试,表明,在0.1～20 GHz的频域内,其"开"态插入损耗误差、端口1和端口2的电压驻波比误差分别小于0.3 dB、0.24和0.19;其"关"态隔离度误差、端口1和端口2的电压驻波比误差分别小于1.9 dB、0.12和0.08.文中得到的PHEMT开关模型将有助于控制类单片集成电路的研究与开发.
藉助于傳統的FET等效電路模型.給齣瞭0.25μmGaAs PHEMT的開關模型,併在ICCAP和ADS軟件中,完成等效電路參數的提取與優化.通過對單刀單擲(SPST)開關的倣真和測試,錶明,在0.1～20 GHz的頻域內,其"開"態插入損耗誤差、耑口1和耑口2的電壓駐波比誤差分彆小于0.3 dB、0.24和0.19;其"關"態隔離度誤差、耑口1和耑口2的電壓駐波比誤差分彆小于1.9 dB、0.12和0.08.文中得到的PHEMT開關模型將有助于控製類單片集成電路的研究與開髮.
차조우전통적FET등효전로모형.급출료0.25μmGaAs PHEMT적개관모형,병재ICCAP화ADS연건중,완성등효전로삼수적제취여우화.통과대단도단척(SPST)개관적방진화측시,표명,재0.1～20 GHz적빈역내,기"개"태삽입손모오차、단구1화단구2적전압주파비오차분별소우0.3 dB、0.24화0.19;기"관"태격리도오차、단구1화단구2적전압주파비오차분별소우1.9 dB、0.12화0.08.문중득도적PHEMT개관모형장유조우공제류단편집성전로적연구여개발.
