固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2011年
5期
494-498
,共5页
阻变存储器%写入与擦除%写驱动电路%比较与反馈
阻變存儲器%寫入與抆除%寫驅動電路%比較與反饋
조변존저기%사입여찰제%사구동전로%비교여반궤
针对现有阻变存储器中严重影响擦除操作可靠性的“写回”现象,结合测试数据、材料特性及电路原理分析了引起这种现象的主要原因,给出了一种加入“擦除反馈”功能的写电路设计方案.该方案能够对擦除操作进行监控,一旦发现操作完成,立即使用反馈电路关闭写驱动的输出以停止擦除操作,防止“写回”现象.优化后的写电路方案在0.13μm标准CMOS工艺下进行了流片验证.通过测试数据的分析对比,可以看到相比传统的写电路方案,采用文中的电路设计能明显降低“写回失效”的可能,大幅度提高擦除操作的可靠性.
針對現有阻變存儲器中嚴重影響抆除操作可靠性的“寫迴”現象,結閤測試數據、材料特性及電路原理分析瞭引起這種現象的主要原因,給齣瞭一種加入“抆除反饋”功能的寫電路設計方案.該方案能夠對抆除操作進行鑑控,一旦髮現操作完成,立即使用反饋電路關閉寫驅動的輸齣以停止抆除操作,防止“寫迴”現象.優化後的寫電路方案在0.13μm標準CMOS工藝下進行瞭流片驗證.通過測試數據的分析對比,可以看到相比傳統的寫電路方案,採用文中的電路設計能明顯降低“寫迴失效”的可能,大幅度提高抆除操作的可靠性.
침대현유조변존저기중엄중영향찰제조작가고성적“사회”현상,결합측시수거、재료특성급전로원리분석료인기저충현상적주요원인,급출료일충가입“찰제반궤”공능적사전로설계방안.해방안능구대찰제조작진행감공,일단발현조작완성,립즉사용반궤전로관폐사구동적수출이정지찰제조작,방지“사회”현상.우화후적사전로방안재0.13μm표준CMOS공예하진행료류편험증.통과측시수거적분석대비,가이간도상비전통적사전로방안,채용문중적전로설계능명현강저“사회실효”적가능,대폭도제고찰제조작적가고성.
