张正选%罗晋生%袁仁峰%张廷庆%姜景和 張正選%囉晉生%袁仁峰%張廷慶%薑景和
장정선%라진생%원인봉%장정경%강경화
2005년 应变SiGe沟道PMOSFET亚阈值特性模拟 應變SiGe溝道PMOSFET亞閾值特性模擬 응변SiGe구도PMOSFET아역치특성모의
2004년 应变Si1-xGex沟道PMOSFET空穴局域化研究 應變Si1-xGex溝道PMOSFET空穴跼域化研究 응변Si1-xGex구도PMOSFET공혈국역화연구
2003년 新型薄膜SOI高压MOSFET的研制 新型薄膜SOI高壓MOSFET的研製 신형박막SOI고압MOSFET적연제
2003년 应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性 應變SiGe溝道pMOSFET的擊穿特性 응변SiGe구도pMOSFET적격천특성
2003년 深亚微米应变SiGe沟PMOSFET特性模拟 深亞微米應變SiGe溝PMOSFET特性模擬 심아미미응변SiGe구PMOSFET특성모의
2001년 Si/SiGe/Si双异质结晶体管(HBT)的负阻特性 Si/SiGe/Si雙異質結晶體管(HBT)的負阻特性 Si/SiGe/Si쌍이질결정체관(HBT)적부조특성
2001년 SOI高压MOSFET的电流-电压特性模拟 SOI高壓MOSFET的電流-電壓特性模擬 SOI고압MOSFET적전류-전압특성모의
2001년 集成化平面肖特基变容管微波C-V特性物理模型 集成化平麵肖特基變容管微波C-V特性物理模型 집성화평면초특기변용관미파C-V특성물리모형
2000년 CMOS SRAM单粒子翻转效应的解析分析 CMOS SRAM單粒子翻轉效應的解析分析 CMOS SRAM단입자번전효응적해석분석
2013년 搭平台强素质培沃土促发展——濮阳市审计局创建学习型机关纪实 搭平檯彊素質培沃土促髮展——濮暘市審計跼創建學習型機關紀實 탑평태강소질배옥토촉발전——복양시심계국창건학습형궤관기실
2013년 总剂量辐照效应对窄沟道SOI NMOSFET器件的影响 總劑量輻照效應對窄溝道SOI NMOSFET器件的影響 총제량복조효응대착구도SOI NMOSFET기건적영향
2011년 硅离子注入引入纳米晶对SIMOX材料进行总剂量辐射加固 硅離子註入引入納米晶對SIMOX材料進行總劑量輻射加固 규리자주입인입납미정대SIMOX재료진행총제량복사가고
2010년 环栅结构CMOS/SOI器件SPICE模型研究 環柵結構CMOS/SOI器件SPICE模型研究 배책결구CMOS/SOI기건SPICE모형연구
2010년 SOI器件X射线与60Coγ射线总剂量效应比较 SOI器件X射線與60Coγ射線總劑量效應比較 SOI기건X사선여60Coγ사선총제량효응비교
2010년 超薄SIMOX材料的Pseudo-MOSFET电学表征 超薄SIMOX材料的Pseudo-MOSFET電學錶徵 초박SIMOX재료적Pseudo-MOSFET전학표정
2010년 总剂量辐射下的NMOS/SOI器件背栅阈值电压漂移模型 總劑量輻射下的NMOS/SOI器件揹柵閾值電壓漂移模型 총제량복사하적NMOS/SOI기건배책역치전압표이모형
2004년 MOS器件在不同源辐照下总剂量效应的异同性研究 MOS器件在不同源輻照下總劑量效應的異同性研究 MOS기건재불동원복조하총제량효응적이동성연구
2003년 NMOS器件不同剂量率γ射线辐射响应的理论预估 NMOS器件不同劑量率γ射線輻射響應的理論預估 NMOS기건불동제량솔γ사선복사향응적이론예고
2002년 NMOSFET器件不同源、不同γ剂量率辐射损伤比较 NMOSFET器件不同源、不同γ劑量率輻射損傷比較 NMOSFET기건불동원、불동γ제량솔복사손상비교
2002년 质子和中子的单粒子效应等效性实验研究 質子和中子的單粒子效應等效性實驗研究 질자화중자적단입자효응등효성실험연구
2001년 用Columnar模型对电子空穴对复合逃逸产额的模拟计算 用Columnar模型對電子空穴對複閤逃逸產額的模擬計算 용Columnar모형대전자공혈대복합도일산액적모의계산
2001년 MOS器件及电路的总剂量辐射效应测试技术 MOS器件及電路的總劑量輻射效應測試技術 MOS기건급전로적총제량복사효응측시기술
2001년 NMOSFET电离辐射效应的二维数值模拟 NMOSFET電離輻射效應的二維數值模擬 NMOSFET전리복사효응적이유수치모의
2010년 土工格栅在青藏高原公路建设中的应用探讨 土工格柵在青藏高原公路建設中的應用探討 토공격책재청장고원공로건설중적응용탐토
2000년 不同剂量率LC54HC04RH电路的电离辐射效应 不同劑量率LC54HC04RH電路的電離輻射效應 불동제량솔LC54HC04RH전로적전리복사효응
2000년 BF+2注入硅栅p沟MOS场效应晶体管辐射感生界面陷阱测量 BF+2註入硅柵p溝MOS場效應晶體管輻射感生界麵陷阱測量 BF+2주입규책p구MOS장효응정체관복사감생계면함정측량
1999년 利用MOSFET亚阀I-V特性进行辐射感生界面陷阱的测量 利用MOSFET亞閥I-V特性進行輻射感生界麵陷阱的測量 이용MOSFET아벌I-V특성진행복사감생계면함정적측량
2001년 InSb红外探测器衬底应力的模拟与分析 InSb紅外探測器襯底應力的模擬與分析 InSb홍외탐측기츤저응력적모의여분석
2001년 低温低剂量率下金属-氧化物-半导体器件的辐照效应 低溫低劑量率下金屬-氧化物-半導體器件的輻照效應 저온저제량솔하금속-양화물-반도체기건적복조효응
2000년 一种检测互连的IDDQ内建并行测试方法 一種檢測互連的IDDQ內建併行測試方法 일충검측호련적IDDQ내건병행측시방법
2000년 电荷耦合器件电荷传输效率的模拟与分析 電荷耦閤器件電荷傳輸效率的模擬與分析 전하우합기건전하전수효솔적모의여분석
2000년 金属-氧化物-半导体器件γ辐照温度效应 金屬-氧化物-半導體器件γ輻照溫度效應 금속-양화물-반도체기건γ복조온도효응
2000년 BF+2注入硅栅p沟MOS场效应晶体管辐射感生界面陷阱测量 BF+2註入硅柵p溝MOS場效應晶體管輻射感生界麵陷阱測量 BF+2주입규책p구MOS장효응정체관복사감생계면함정측량
1999년 BF+2注入加固硅栅PMOSFET的研究 BF+2註入加固硅柵PMOSFET的研究 BF+2주입가고규책PMOSFET적연구