金-锗系统欧姆接触制备研究
금-타계통구모접촉제비연구
Fabrication of Au-Ge ohmic contact
  • 万方数据
    半导体情报 반도체정보
    SEMICONDUCTOR INFORMATION
    2001年 4期 32-34,44 ,共4页

    杨梦丽%张红欣%于信明

    양몽려%장홍흔%우신명

    MESFET%PHEMT%欧姆接触%合金条件 MESFET%PHEMT%歐姆接觸%閤金條件
    MESFET%PHEMT%구모접촉%합금조건
    对于GaAs MESFET和以GaAs或InP为衬底的PHEMT的欧姆接触制备,虽均采用Au-Ge-Ni系统,但其合金条件却因材料特性各异而不同.
    대우GaAs MESFET화이GaAs혹InP위츤저적PHEMT적구모접촉제비,수균채용Au-Ge-Ni계통,단기합금조건각인재료특성각이이불동.
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