半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
z1期
144-147
,共4页
刘弋波%刘恩峰%刘晓彦%韩汝琦
劉弋波%劉恩峰%劉曉彥%韓汝琦
류익파%류은봉%류효언%한여기
流体动力学%双栅MOSFET%阈值电压%短沟效应%电子温度%漂移速度
流體動力學%雙柵MOSFET%閾值電壓%短溝效應%電子溫度%漂移速度
류체동역학%쌍책MOSFET%역치전압%단구효응%전자온도%표이속도
利用自主开发的流体动力学模拟软件对亚50nm沟长双栅MOS场效应晶体管的特性进行了模拟,比较了不同沟道长度时电子温度和漂移速度沿沟道方向的分布,并讨论了器件的短沟效应.
利用自主開髮的流體動力學模擬軟件對亞50nm溝長雙柵MOS場效應晶體管的特性進行瞭模擬,比較瞭不同溝道長度時電子溫度和漂移速度沿溝道方嚮的分佈,併討論瞭器件的短溝效應.
이용자주개발적류체동역학모의연건대아50nm구장쌍책MOS장효응정체관적특성진행료모의,비교료불동구도장도시전자온도화표이속도연구도방향적분포,병토론료기건적단구효응.
