无机材料学报
無機材料學報
무궤재료학보
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS
2004年
6期
1423-1426
,共4页
Gd3Ga5O12%共沉淀法%多晶料%碳酸盐
Gd3Ga5O12%共沉澱法%多晶料%碳痠鹽
Gd3Ga5O12%공침정법%다정료%탄산염
用碳酸盐作沉淀剂,采用无机体系共沉淀法制备了钆镓石榴石Gd3Ga5O12(GGG)前驱体.由TG-DTA和IR光谱分析表明,合成的沉淀为碱式碳酸盐,煅烧过程中失重为28.06%XRD分析表明在1000℃煅烧3h可以得到晶化完全的GGG多晶料,通过与固相反应比较可知,碳酸盐共沉淀法制备GGG多晶料具有反应时间短、晶化程度高、煅烧温度低、Ga2O3挥发量少等优点.GGG晶体提拉生长表明,Gd2O3和Ga2O3的组分失配问题已经得到基本解决,从而大大提高了单晶的光学质量.
用碳痠鹽作沉澱劑,採用無機體繫共沉澱法製備瞭釓鎵石榴石Gd3Ga5O12(GGG)前驅體.由TG-DTA和IR光譜分析錶明,閤成的沉澱為堿式碳痠鹽,煅燒過程中失重為28.06%XRD分析錶明在1000℃煅燒3h可以得到晶化完全的GGG多晶料,通過與固相反應比較可知,碳痠鹽共沉澱法製備GGG多晶料具有反應時間短、晶化程度高、煅燒溫度低、Ga2O3揮髮量少等優點.GGG晶體提拉生長錶明,Gd2O3和Ga2O3的組分失配問題已經得到基本解決,從而大大提高瞭單晶的光學質量.
용탄산염작침정제,채용무궤체계공침정법제비료구가석류석Gd3Ga5O12(GGG)전구체.유TG-DTA화IR광보분석표명,합성적침정위감식탄산염,단소과정중실중위28.06%XRD분석표명재1000℃단소3h가이득도정화완전적GGG다정료,통과여고상반응비교가지,탄산염공침정법제비GGG다정료구유반응시간단、정화정도고、단소온도저、Ga2O3휘발량소등우점.GGG정체제랍생장표명,Gd2O3화Ga2O3적조분실배문제이경득도기본해결,종이대대제고료단정적광학질량.
