微细加工技术
微細加工技術
미세가공기술
MICROFABRICATION TECHNOLOGY
2005年
4期
37-41
,共5页
陈瑜%吴俊徐%郭平生%王连卫%M.van der Zwan%P.M.Sarro
陳瑜%吳俊徐%郭平生%王連衛%M.van der Zwan%P.M.Sarro
진유%오준서%곽평생%왕련위%M.van der Zwan%P.M.Sarro
电化学刻蚀%DRIE%深沟槽%深孔%光子晶体
電化學刻蝕%DRIE%深溝槽%深孔%光子晶體
전화학각식%DRIE%심구조%심공%광자정체
研究了光辅助电化学刻蚀技术,并特别研究了阵列和硅衬底之间的边缘效应.在阵列边缘由于电流分布不均匀以及空穴从孔的侧壁注入,因此可以在边缘区域观察到结构的坍塌,采用一个周期性变化的信号来调制光照的强度,边缘效应会得到一定的抑制.同时,也观察到了硅的电化学深刻蚀工艺中大电流情况下的抛光现象(阳极氧化条件下,硅表面在氢氟酸溶液中快速均匀溶解不形成孔的现象).光学测试表明,制作的正方格子结构具有光子晶体行为,其光学禁带位于6 μm附近.
研究瞭光輔助電化學刻蝕技術,併特彆研究瞭陣列和硅襯底之間的邊緣效應.在陣列邊緣由于電流分佈不均勻以及空穴從孔的側壁註入,因此可以在邊緣區域觀察到結構的坍塌,採用一箇週期性變化的信號來調製光照的彊度,邊緣效應會得到一定的抑製.同時,也觀察到瞭硅的電化學深刻蝕工藝中大電流情況下的拋光現象(暘極氧化條件下,硅錶麵在氫氟痠溶液中快速均勻溶解不形成孔的現象).光學測試錶明,製作的正方格子結構具有光子晶體行為,其光學禁帶位于6 μm附近.
연구료광보조전화학각식기술,병특별연구료진렬화규츤저지간적변연효응.재진렬변연유우전류분포불균균이급공혈종공적측벽주입,인차가이재변연구역관찰도결구적담탑,채용일개주기성변화적신호래조제광조적강도,변연효응회득도일정적억제.동시,야관찰도료규적전화학심각식공예중대전류정황하적포광현상(양겁양화조건하,규표면재경불산용액중쾌속균균용해불형성공적현상).광학측시표명,제작적정방격자결구구유광자정체행위,기광학금대위우6 μm부근.
