电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2007年
1期
46-48,51
,共4页
唐新桂%梁建烈%农亮勤%熊惠芳%陈王丽华
唐新桂%樑建烈%農亮勤%熊惠芳%陳王麗華
당신계%량건렬%농량근%웅혜방%진왕려화
无机非金属材料%锆钛酸钡薄膜%脉冲激光沉积%柱状晶粒%介电调谐特性%探测优值
無機非金屬材料%鋯鈦痠鋇薄膜%脈遲激光沉積%柱狀晶粒%介電調諧特性%探測優值
무궤비금속재료%고태산패박막%맥충격광침적%주상정립%개전조해특성%탐측우치
用脉冲激光沉积工艺制备了Ba(ZrxTi1-x)O3 (x=0.25,0.30简称BZT25和BZT30)介电薄膜.在650℃原位退火10 min,薄膜为(111)取向柱状生长的晶粒,取向度分别为0.45和0.75.BZT25和BZT30薄膜的平均晶粒尺寸分别为50 nm和60 nm.在室温、1 MHz和3×105V/cm条件下,BZT25的最大εr和调谐率分别达到563和65%,BZT30的最大εr和调谐率分别达到441和57%.薄膜为(111)取向生长,主要是基于薄膜与底电极Pt界面层立方相结构Pt3Ti的诱导,即(111)Pt3Ti和(111)BZT的晶格匹配.
用脈遲激光沉積工藝製備瞭Ba(ZrxTi1-x)O3 (x=0.25,0.30簡稱BZT25和BZT30)介電薄膜.在650℃原位退火10 min,薄膜為(111)取嚮柱狀生長的晶粒,取嚮度分彆為0.45和0.75.BZT25和BZT30薄膜的平均晶粒呎吋分彆為50 nm和60 nm.在室溫、1 MHz和3×105V/cm條件下,BZT25的最大εr和調諧率分彆達到563和65%,BZT30的最大εr和調諧率分彆達到441和57%.薄膜為(111)取嚮生長,主要是基于薄膜與底電極Pt界麵層立方相結構Pt3Ti的誘導,即(111)Pt3Ti和(111)BZT的晶格匹配.
용맥충격광침적공예제비료Ba(ZrxTi1-x)O3 (x=0.25,0.30간칭BZT25화BZT30)개전박막.재650℃원위퇴화10 min,박막위(111)취향주상생장적정립,취향도분별위0.45화0.75.BZT25화BZT30박막적평균정립척촌분별위50 nm화60 nm.재실온、1 MHz화3×105V/cm조건하,BZT25적최대εr화조해솔분별체도563화65%,BZT30적최대εr화조해솔분별체도441화57%.박막위(111)취향생장,주요시기우박막여저전겁Pt계면층립방상결구Pt3Ti적유도,즉(111)Pt3Ti화(111)BZT적정격필배.
