电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2008年
4期
1113-1115,1119
,共4页
存储器%ONO%I-V特性%IPD
存儲器%ONO%I-V特性%IPD
존저기%ONO%I-V특성%IPD
为研究存储器的多晶间介质采用ONO(Oxide-Nitride-Oxide)结构的基本特性,从ONO叠层的工作原理和它在器件制作中的工艺结构出发,设计了采用ONO结构存储器的模拟实验,对不同工艺条件下的ONO叠层作对比实验,通过ONO叠层的I-V曲线、漏电流、击穿场强和电荷保持特性的测试及分析,研究了不同生长条件对ONO结构的影响程度,获得了最优的ONO叠层制作条件,为存储器的设计和工艺控制提供了参考.
為研究存儲器的多晶間介質採用ONO(Oxide-Nitride-Oxide)結構的基本特性,從ONO疊層的工作原理和它在器件製作中的工藝結構齣髮,設計瞭採用ONO結構存儲器的模擬實驗,對不同工藝條件下的ONO疊層作對比實驗,通過ONO疊層的I-V麯線、漏電流、擊穿場彊和電荷保持特性的測試及分析,研究瞭不同生長條件對ONO結構的影響程度,穫得瞭最優的ONO疊層製作條件,為存儲器的設計和工藝控製提供瞭參攷.
위연구존저기적다정간개질채용ONO(Oxide-Nitride-Oxide)결구적기본특성,종ONO첩층적공작원리화타재기건제작중적공예결구출발,설계료채용ONO결구존저기적모의실험,대불동공예조건하적ONO첩층작대비실험,통과ONO첩층적I-V곡선、루전류、격천장강화전하보지특성적측시급분석,연구료불동생장조건대ONO결구적영향정도,획득료최우적ONO첩층제작조건,위존저기적설계화공예공제제공료삼고.
