MOCVD与MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的红外探测器特性比较*
MOCVD여MBE생장GaAs/AlGaAs양자정재료적홍외탐측기특성비교*
Performance Comparison of GaAs/AlGaAs Quantum Well Infrared Photodetectors Grown by MOCVD and MBE
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2000年 5期 441-444 ,共4页

    李娜%李宁%陆卫%窦红飞%陈张海%刘兴权%沈学础%H.H.Tan%Lan Fu%C.Jagadish%M.B.Johnston%M.Gal

    리나%리저%륙위%두홍비%진장해%류흥권%침학출%H.H.Tan%Lan Fu%C.Jagadish%M.B.Johnston%M.Gal

    GaAs/AlGaAs%量子阱红外探测器%MOCVD%MBEPACC:0762%6865%6855%8115G GaAs/AlGaAs%量子阱紅外探測器%MOCVD%MBEPACC:0762%6865%6855%8115G
    GaAs/AlGaAs%양자정홍외탐측기%MOCVD%MBEPACC:0762%6865%6855%8115G
    用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长GaAs/AlGaAs量子阱材料,并制成红外探测器.测量了材料的光致发光光谱和探测器的光电流响应光谱及其它光电特性,峰值波长7.9μm,响应率达到6×103V/W,与分子束外延法(MBE)生长的材料和相关器件进行了比较,MOCVD法可满足量子阱材料和器件的要求.
    용금속유궤물화학기상침적법(MOCVD)생장GaAs/AlGaAs양자정재료,병제성홍외탐측기.측량료재료적광치발광광보화탐측기적광전류향응광보급기타광전특성,봉치파장7.9μm,향응솔체도6×103V/W,여분자속외연법(MBE)생장적재료화상관기건진행료비교,MOCVD법가만족양자정재료화기건적요구.
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