光谱学与光谱分析
光譜學與光譜分析
광보학여광보분석
SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS
2007年
6期
1106-1109
,共4页
周卫强%徐景坤%汪敬武%蒲守智
週衛彊%徐景坤%汪敬武%蒲守智
주위강%서경곤%왕경무%포수지
导电高分子%聚吲哚%电化学聚合%红外光谱%核磁共振波谱
導電高分子%聚吲哚%電化學聚閤%紅外光譜%覈磁共振波譜
도전고분자%취신타%전화학취합%홍외광보%핵자공진파보
三氟化硼乙醚+10%乙醚体系中,恒电位(1.23～2.23 V vs.SCE)条件下可以获得高质量聚膜(PNI),这是首次获得硝基取代高性能导电高分子膜材料.5-硝基吲哚(NI)的起始氧化电位为1.04 V vs.SCE.电流-时间曲线、FTLR和1H NMR结果均表明聚合电位对PNI膜质量有较大影响.低电位有利于NI的聚合,且有利于增加PNI膜的共轭链长;高电位会导致NI的副反应,从而降低:PNI膜的质量.同时红外光谱和1H NMR研究表明,NI的电化学聚合是通过2,3位进行的.
三氟化硼乙醚+10%乙醚體繫中,恆電位(1.23～2.23 V vs.SCE)條件下可以穫得高質量聚膜(PNI),這是首次穫得硝基取代高性能導電高分子膜材料.5-硝基吲哚(NI)的起始氧化電位為1.04 V vs.SCE.電流-時間麯線、FTLR和1H NMR結果均錶明聚閤電位對PNI膜質量有較大影響.低電位有利于NI的聚閤,且有利于增加PNI膜的共軛鏈長;高電位會導緻NI的副反應,從而降低:PNI膜的質量.同時紅外光譜和1H NMR研究錶明,NI的電化學聚閤是通過2,3位進行的.
삼불화붕을미+10%을미체계중,항전위(1.23～2.23 V vs.SCE)조건하가이획득고질량취막(PNI),저시수차획득초기취대고성능도전고분자막재료.5-초기신타(NI)적기시양화전위위1.04 V vs.SCE.전류-시간곡선、FTLR화1H NMR결과균표명취합전위대PNI막질량유교대영향.저전위유리우NI적취합,차유리우증가PNI막적공액련장;고전위회도치NI적부반응,종이강저:PNI막적질량.동시홍외광보화1H NMR연구표명,NI적전화학취합시통과2,3위진행적.
