量子电子学报
量子電子學報
양자전자학보
CHINESE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
2008年
1期
43-48
,共6页
金运姜%余庆选%刘书见%廖源
金運薑%餘慶選%劉書見%廖源
금운강%여경선%류서견%료원
薄膜光学%氧化锌%光致发光%局部等离子共振
薄膜光學%氧化鋅%光緻髮光%跼部等離子共振
박막광학%양화자%광치발광%국부등리자공진
利用脉冲激光沉积方法(PLD),在Si(100)衬底上生长了银掺杂的氧化锌薄膜(ZnO:Ag),所用的激光波长分别是1064 nm和355 nm.通过x射线衍射分析发现,两种不同激光沉积样品的晶体结构有很大的区别.此外,由1064 nm激光制备的ZnO:Ag薄膜,在氧气中800℃的条件下退火一个小时后,在其光致发光(PL)谱中发现,样品的紫外发光峰强度随薄膜中Ag含量增加而急剧增强,但在同样条件下处理的由355 nm激光制备的薄膜,没有观察到类似现象.经过分析和比较,我们认为这种紫外发光增强的特殊现象,是ZnO:Ag薄膜中的纳米Ag颗粒所引起的局部等离子共振而导致.
利用脈遲激光沉積方法(PLD),在Si(100)襯底上生長瞭銀摻雜的氧化鋅薄膜(ZnO:Ag),所用的激光波長分彆是1064 nm和355 nm.通過x射線衍射分析髮現,兩種不同激光沉積樣品的晶體結構有很大的區彆.此外,由1064 nm激光製備的ZnO:Ag薄膜,在氧氣中800℃的條件下退火一箇小時後,在其光緻髮光(PL)譜中髮現,樣品的紫外髮光峰彊度隨薄膜中Ag含量增加而急劇增彊,但在同樣條件下處理的由355 nm激光製備的薄膜,沒有觀察到類似現象.經過分析和比較,我們認為這種紫外髮光增彊的特殊現象,是ZnO:Ag薄膜中的納米Ag顆粒所引起的跼部等離子共振而導緻.
이용맥충격광침적방법(PLD),재Si(100)츤저상생장료은참잡적양화자박막(ZnO:Ag),소용적격광파장분별시1064 nm화355 nm.통과x사선연사분석발현,량충불동격광침적양품적정체결구유흔대적구별.차외,유1064 nm격광제비적ZnO:Ag박막,재양기중800℃적조건하퇴화일개소시후,재기광치발광(PL)보중발현,양품적자외발광봉강도수박막중Ag함량증가이급극증강,단재동양조건하처리적유355 nm격광제비적박막,몰유관찰도유사현상.경과분석화비교,아문인위저충자외발광증강적특수현상,시ZnO:Ag박막중적납미Ag과립소인기적국부등리자공진이도치.
