电工材料
電工材料
전공재료
ELECTRICAL ENGINEERING MATERIALS
2008年
1期
21-24
,共4页
颗粒膜%巨磁电阻(GMR)效应%微结构%磁控溅射
顆粒膜%巨磁電阻(GMR)效應%微結構%磁控濺射
과립막%거자전조(GMR)효응%미결구%자공천사
采用磁控溅射方法制备CoxAg100-x颗粒膜,研究了其巨磁电阻(GMR)效应.结果表明,GMR效应的大小是颗粒膜厚度的函数.在0.9 T外磁场下,当玻璃衬底上制备态Co33.8Ag66.2颗粒膜的膜厚为100 nm时,其GMR效应值达到最大值(-18.2%),且GMR值随退火温度的上升而单调减小.
採用磁控濺射方法製備CoxAg100-x顆粒膜,研究瞭其巨磁電阻(GMR)效應.結果錶明,GMR效應的大小是顆粒膜厚度的函數.在0.9 T外磁場下,噹玻璃襯底上製備態Co33.8Ag66.2顆粒膜的膜厚為100 nm時,其GMR效應值達到最大值(-18.2%),且GMR值隨退火溫度的上升而單調減小.
채용자공천사방법제비CoxAg100-x과립막,연구료기거자전조(GMR)효응.결과표명,GMR효응적대소시과립막후도적함수.재0.9 T외자장하,당파리츤저상제비태Co33.8Ag66.2과립막적막후위100 nm시,기GMR효응치체도최대치(-18.2%),차GMR치수퇴화온도적상승이단조감소.
