微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2009年
2期
123-126
,共4页
张红丽%张小兴%戴宇杰%吕英杰
張紅麗%張小興%戴宇傑%呂英傑
장홍려%장소흥%대우걸%려영걸
互补金属氧化物半导体(CMOS)%级联自偏置结构%带隙基准%温度补偿%电源抑制比
互補金屬氧化物半導體(CMOS)%級聯自偏置結構%帶隙基準%溫度補償%電源抑製比
호보금속양화물반도체(CMOS)%급련자편치결구%대극기준%온도보상%전원억제비
采用ASMC 0.35μm CMOS工艺设计了低功耗、高电源抑制比(PSRR)、低温漂、输出1V的带隙基准源电路.该设计中,偏置电压采用级联自偏置结构,运放的输出作为驱动的同时也作为自身电流源的驱动,实现了与绝对温度成正比(PTAT)温度补偿.通过对其进行仿真验证,当温度在-40～125℃和电源电压在1.6～5 V时,输出基准电压具有3.68×10-6/℃的温度系数,Vref摆动小于0.094 mV;在低频时具有-114.6 dB的PSRR,其中在1 kHz时为-109.3dB,在10 kHz时为-90.72 dB.
採用ASMC 0.35μm CMOS工藝設計瞭低功耗、高電源抑製比(PSRR)、低溫漂、輸齣1V的帶隙基準源電路.該設計中,偏置電壓採用級聯自偏置結構,運放的輸齣作為驅動的同時也作為自身電流源的驅動,實現瞭與絕對溫度成正比(PTAT)溫度補償.通過對其進行倣真驗證,噹溫度在-40～125℃和電源電壓在1.6～5 V時,輸齣基準電壓具有3.68×10-6/℃的溫度繫數,Vref襬動小于0.094 mV;在低頻時具有-114.6 dB的PSRR,其中在1 kHz時為-109.3dB,在10 kHz時為-90.72 dB.
채용ASMC 0.35μm CMOS공예설계료저공모、고전원억제비(PSRR)、저온표、수출1V적대극기준원전로.해설계중,편치전압채용급련자편치결구,운방적수출작위구동적동시야작위자신전류원적구동,실현료여절대온도성정비(PTAT)온도보상.통과대기진행방진험증,당온도재-40～125℃화전원전압재1.6～5 V시,수출기준전압구유3.68×10-6/℃적온도계수,Vref파동소우0.094 mV;재저빈시구유-114.6 dB적PSRR,기중재1 kHz시위-109.3dB,재10 kHz시위-90.72 dB.
