半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
9期
886-889
,共4页
方园%高学邦%吴洪江%喻梦霞
方園%高學邦%吳洪江%喻夢霞
방완%고학방%오홍강%유몽하
宽带%高精度%GaAs微波单片集成电路%实时延迟线%波束倾斜效应
寬帶%高精度%GaAs微波單片集成電路%實時延遲線%波束傾斜效應
관대%고정도%GaAs미파단편집성전로%실시연지선%파속경사효응
为降低电子系统在宽带运用中波束倾斜效应的影响,开展了相关的技术研究.简要介绍了实时延迟线电路的基本概念,对电路设计流程进行了阐述.最终成功开发出一款具有小尺寸和优异微波性能的GaAs微波单片集成数控实时延迟线电路.其性能指标为:工作频率2～8 GHz,插入损耗≤23 dB,总延时量为637.5 ps,驻波比≤1.5∶1.同时指出,要获得高精度的实时延迟线芯片,正确选择控制器件的连接方式和分析延时网络的寄生效应是必要的.
為降低電子繫統在寬帶運用中波束傾斜效應的影響,開展瞭相關的技術研究.簡要介紹瞭實時延遲線電路的基本概唸,對電路設計流程進行瞭闡述.最終成功開髮齣一款具有小呎吋和優異微波性能的GaAs微波單片集成數控實時延遲線電路.其性能指標為:工作頻率2～8 GHz,插入損耗≤23 dB,總延時量為637.5 ps,駐波比≤1.5∶1.同時指齣,要穫得高精度的實時延遲線芯片,正確選擇控製器件的連接方式和分析延時網絡的寄生效應是必要的.
위강저전자계통재관대운용중파속경사효응적영향,개전료상관적기술연구.간요개소료실시연지선전로적기본개념,대전로설계류정진행료천술.최종성공개발출일관구유소척촌화우이미파성능적GaAs미파단편집성수공실시연지선전로.기성능지표위:공작빈솔2～8 GHz,삽입손모≤23 dB,총연시량위637.5 ps,주파비≤1.5∶1.동시지출,요획득고정도적실시연지선심편,정학선택공제기건적련접방식화분석연시망락적기생효응시필요적.
