半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
6期
470-473
,共4页
刘如青%吴洪江%高学邦%付兴昌%倪涛
劉如青%吳洪江%高學邦%付興昌%倪濤
류여청%오홍강%고학방%부흥창%예도
Ku波段%功率放大器%脉冲%芯片%砷化镓
Ku波段%功率放大器%脈遲%芯片%砷化鎵
Ku파단%공솔방대기%맥충%심편%신화가
介绍了一种Ku波段GaAs功率放大器芯片的研制过程.芯片采用电抗匹配电路结构,三级级联放大,末级采用多胞器件进行功率合成,实现了电路的高增益和所要求的功率输出;另外,还对元器件模型技术、GaAs MMIC测试技术等进行了相应描述.在芯片的研制过程中,利用ADS软件进行仿真及优化,利用电磁场仿真进行版图设计.在4英寸(100mm)0.25μmGaAs PHEMT工艺线上完成芯片制作,在12.5～15.0 GHz的频率范围内,脉冲饱和输出功率P.大于34.7 dBm(脉宽100μs,占空比10%),功率增益Gp大于19.7 dB,功率附加效率PAE大于30%,功率增益平坦度小于±0.4dB.该芯片可以应用到许多微波系统中.
介紹瞭一種Ku波段GaAs功率放大器芯片的研製過程.芯片採用電抗匹配電路結構,三級級聯放大,末級採用多胞器件進行功率閤成,實現瞭電路的高增益和所要求的功率輸齣;另外,還對元器件模型技術、GaAs MMIC測試技術等進行瞭相應描述.在芯片的研製過程中,利用ADS軟件進行倣真及優化,利用電磁場倣真進行版圖設計.在4英吋(100mm)0.25μmGaAs PHEMT工藝線上完成芯片製作,在12.5～15.0 GHz的頻率範圍內,脈遲飽和輸齣功率P.大于34.7 dBm(脈寬100μs,佔空比10%),功率增益Gp大于19.7 dB,功率附加效率PAE大于30%,功率增益平坦度小于±0.4dB.該芯片可以應用到許多微波繫統中.
개소료일충Ku파단GaAs공솔방대기심편적연제과정.심편채용전항필배전로결구,삼급급련방대,말급채용다포기건진행공솔합성,실현료전로적고증익화소요구적공솔수출;령외,환대원기건모형기술、GaAs MMIC측시기술등진행료상응묘술.재심편적연제과정중,이용ADS연건진행방진급우화,이용전자장방진진행판도설계.재4영촌(100mm)0.25μmGaAs PHEMT공예선상완성심편제작,재12.5～15.0 GHz적빈솔범위내,맥충포화수출공솔P.대우34.7 dBm(맥관100μs,점공비10%),공솔증익Gp대우19.7 dB,공솔부가효솔PAE대우30%,공솔증익평탄도소우±0.4dB.해심편가이응용도허다미파계통중.
