发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2011年
8期
749-754
,共6页
刘海旭%孙甲明%孟凡杰%侯琼琼
劉海旭%孫甲明%孟凡傑%侯瓊瓊
류해욱%손갑명%맹범걸%후경경
掺铒纳米硅%电致发光%离子注入%MOS-LED
摻鉺納米硅%電緻髮光%離子註入%MOS-LED
참이납미규%전치발광%리자주입%MOS-LED
通过Er离子和Si离子注入并结合高温退火制备了Er掺杂的富硅SiO2薄膜以及ITO/SiON/富硅SiO2:Er/Si MOS结构电致发光器件.研究了富Si浓度的变化对Er3+离子掺杂的电致发光器件的发光性能和传导特性的影响.发现不同Si含量对Er3+离子的不同能级的电致发光会产生不同作用.在富Si量小于5％的条件下,主要由Si离子注入产生氧空位缺陷发光中心(Si-ODC),它们和Er3+离子的高能级之间存在着共振能量传递,增强了Er3+离子的522 nm绿色发光峰强度.在富Si含量大于5％时,过量的Si在退火时形成了纳米硅微晶,电子在纳米硅微晶之间的隧穿改变了载流子输运机制,降低了过热电子的平均能量,导致Er3+离子的所有发光峰的猝灭.
通過Er離子和Si離子註入併結閤高溫退火製備瞭Er摻雜的富硅SiO2薄膜以及ITO/SiON/富硅SiO2:Er/Si MOS結構電緻髮光器件.研究瞭富Si濃度的變化對Er3+離子摻雜的電緻髮光器件的髮光性能和傳導特性的影響.髮現不同Si含量對Er3+離子的不同能級的電緻髮光會產生不同作用.在富Si量小于5％的條件下,主要由Si離子註入產生氧空位缺陷髮光中心(Si-ODC),它們和Er3+離子的高能級之間存在著共振能量傳遞,增彊瞭Er3+離子的522 nm綠色髮光峰彊度.在富Si含量大于5％時,過量的Si在退火時形成瞭納米硅微晶,電子在納米硅微晶之間的隧穿改變瞭載流子輸運機製,降低瞭過熱電子的平均能量,導緻Er3+離子的所有髮光峰的猝滅.
통과Er리자화Si리자주입병결합고온퇴화제비료Er참잡적부규SiO2박막이급ITO/SiON/부규SiO2:Er/Si MOS결구전치발광기건.연구료부Si농도적변화대Er3+리자참잡적전치발광기건적발광성능화전도특성적영향.발현불동Si함량대Er3+리자적불동능급적전치발광회산생불동작용.재부Si량소우5％적조건하,주요유Si리자주입산생양공위결함발광중심(Si-ODC),타문화Er3+리자적고능급지간존재착공진능량전체,증강료Er3+리자적522 nm록색발광봉강도.재부Si함량대우5％시,과량적Si재퇴화시형성료납미규미정,전자재납미규미정지간적수천개변료재류자수운궤제,강저료과열전자적평균능량,도치Er3+리자적소유발광봉적졸멸.
