真空电子技术
真空電子技術
진공전자기술
VACUUM ELECTRONICS
2011年
4期
19-22
,共4页
高纯、细晶Al2O3陶瓷%Mo-Mn金属化%金属化机理
高純、細晶Al2O3陶瓷%Mo-Mn金屬化%金屬化機理
고순、세정Al2O3도자%Mo-Mn금속화%금속화궤리
通过对高纯、细晶Al2O3陶瓷金属化层、金属化层被酸腐蚀后的陶瓷表面显微结构及金属化层中元素在金属化层与陶瓷中的分布情况分析,探讨了高纯、细晶Al2O3陶瓷的Mo-Mn金属化机理.研究发现高纯、细晶Al2O3陶瓷的金属化机理与95％Al2O3陶瓷存在很大不同,高纯、细晶Al2O3陶瓷金属化时,Al2O3相通过溶解-沉淀传质过程,细小颗粒和固体颗粒表面凸起部分溶解,并在金属化层中的较大Al2O3颗粒表面析出.在Al2O3颗粒生长和形状改变的同时,金属化层形成致密结构,完成了烧结,实现了金属化层与高纯、细晶Al2O3陶瓷的紧密结合.
通過對高純、細晶Al2O3陶瓷金屬化層、金屬化層被痠腐蝕後的陶瓷錶麵顯微結構及金屬化層中元素在金屬化層與陶瓷中的分佈情況分析,探討瞭高純、細晶Al2O3陶瓷的Mo-Mn金屬化機理.研究髮現高純、細晶Al2O3陶瓷的金屬化機理與95％Al2O3陶瓷存在很大不同,高純、細晶Al2O3陶瓷金屬化時,Al2O3相通過溶解-沉澱傳質過程,細小顆粒和固體顆粒錶麵凸起部分溶解,併在金屬化層中的較大Al2O3顆粒錶麵析齣.在Al2O3顆粒生長和形狀改變的同時,金屬化層形成緻密結構,完成瞭燒結,實現瞭金屬化層與高純、細晶Al2O3陶瓷的緊密結閤.
통과대고순、세정Al2O3도자금속화층、금속화층피산부식후적도자표면현미결구급금속화층중원소재금속화층여도자중적분포정황분석,탐토료고순、세정Al2O3도자적Mo-Mn금속화궤리.연구발현고순、세정Al2O3도자적금속화궤리여95％Al2O3도자존재흔대불동,고순、세정Al2O3도자금속화시,Al2O3상통과용해-침정전질과정,세소과립화고체과립표면철기부분용해,병재금속화층중적교대Al2O3과립표면석출.재Al2O3과립생장화형상개변적동시,금속화층형성치밀결구,완성료소결,실현료금속화층여고순、세정Al2O3도자적긴밀결합.
