退火处理对ZnO薄膜发光特性的影响
퇴화처리대ZnO박막발광특성적영향
Annealing Processing Effect on the Photoluminescence of ZnO Film
  • 万方数据
    人工晶体学报 인공정체학보

    2005年 1期 107-111 ,共5页

    苏凤莲%彭观良%邹军%宋词%杭寅%徐军%周圣明

    소봉련%팽관량%추군%송사%항인%서군%주골명

    ZnO薄膜%脉冲激光沉积%退火%蓝光发射 ZnO薄膜%脈遲激光沉積%退火%藍光髮射
    ZnO박막%맥충격광침적%퇴화%람광발사
    用脉冲激光沉积法(PLD)在MgO(100)、α-Al2O3(0001)和MgAl2O4(111)衬底上沉积了ZnO薄膜,测量了它们的发射光谱,观察到430nm的蓝光发射,并研究了退火、衬底和激发波长对ZnO薄膜这一蓝光发射的影响.指出ZnO薄膜中430nm的蓝光发射是由锌填隙原子缺陷能级到价带顶能级间的跃迁以及电子从氧空位浅施主能级到价带顶能级间的跃迁两种机理共同作用的结果.在MgO衬底上沉积的ZnO薄膜在350nm光激发下蓝光发射峰最强.
    용맥충격광침적법(PLD)재MgO(100)、α-Al2O3(0001)화MgAl2O4(111)츤저상침적료ZnO박막,측량료타문적발사광보,관찰도430nm적람광발사,병연구료퇴화、츤저화격발파장대ZnO박막저일람광발사적영향.지출ZnO박막중430nm적람광발사시유자전극원자결함능급도개대정능급간적약천이급전자종양공위천시주능급도개대정능급간적약천량충궤리공동작용적결과.재MgO츤저상침적적ZnO박막재350nm광격발하람광발사봉최강.
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