微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2005年
2期
69-72,77
,共5页
霍莉%丁克强%王庆飞%童汝亭
霍莉%丁剋彊%王慶飛%童汝亭
곽리%정극강%왕경비%동여정
Fe3+掺杂%TiO2薄膜电极%光催化氧化%交流阻抗%平带电势%空穴密度
Fe3+摻雜%TiO2薄膜電極%光催化氧化%交流阻抗%平帶電勢%空穴密度
Fe3+참잡%TiO2박막전겁%광최화양화%교류조항%평대전세%공혈밀도
适量Fe3+掺杂可以提高TiO2薄膜电极的光催化氧化活性.采用交流阻抗谱、平带电势等方法研究了掺杂Fe3+的纳米TiO2薄膜电极的表面结构特征及其催化性能,为其光电转换机理提供了电化学依据.
適量Fe3+摻雜可以提高TiO2薄膜電極的光催化氧化活性.採用交流阻抗譜、平帶電勢等方法研究瞭摻雜Fe3+的納米TiO2薄膜電極的錶麵結構特徵及其催化性能,為其光電轉換機理提供瞭電化學依據.
괄량Fe3+참잡가이제고TiO2박막전겁적광최화양화활성.채용교류조항보、평대전세등방법연구료참잡Fe3+적납미TiO2박막전겁적표면결구특정급기최화성능,위기광전전환궤리제공료전화학의거.
