半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2006年
3期
240-243
,共4页
刘诗文%郭霞%艾伟伟%宋颖娉%顾晓玲%张蕾%沈光地
劉詩文%郭霞%艾偉偉%宋穎娉%顧曉玲%張蕾%瀋光地
류시문%곽하%애위위%송영빙%고효령%장뢰%침광지
氮化镓%蓝光发光二极管%理想因子
氮化鎵%藍光髮光二極管%理想因子
담화가%람광발광이겁관%이상인자
对不同温度(120～363 K)下InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构蓝光发光二极管(LED)的电学特性进行了测试与深入的研究.发现对数坐标下I-V特性曲线斜率随温度变化不大.分别用载流子扩散-复合模型和隧道复合模型对其进行计算,发现室温下其理想因子远大于2,并且随着温度的下降而升高;而隧穿能量参数随温度变化不大.这说明传统的扩散-复合载流子输运模型不再适用于InGaN/GaN MQW蓝光LED.分析指出由于晶格失配以及生长工艺的制约,外延层中具有较高的缺陷密度和界面能级密度,导致其主要输运机制为载流子的隧穿.
對不同溫度(120～363 K)下InGaN/GaN多量子阱(MQW)結構藍光髮光二極管(LED)的電學特性進行瞭測試與深入的研究.髮現對數坐標下I-V特性麯線斜率隨溫度變化不大.分彆用載流子擴散-複閤模型和隧道複閤模型對其進行計算,髮現室溫下其理想因子遠大于2,併且隨著溫度的下降而升高;而隧穿能量參數隨溫度變化不大.這說明傳統的擴散-複閤載流子輸運模型不再適用于InGaN/GaN MQW藍光LED.分析指齣由于晶格失配以及生長工藝的製約,外延層中具有較高的缺陷密度和界麵能級密度,導緻其主要輸運機製為載流子的隧穿.
대불동온도(120～363 K)하InGaN/GaN다양자정(MQW)결구람광발광이겁관(LED)적전학특성진행료측시여심입적연구.발현대수좌표하I-V특성곡선사솔수온도변화불대.분별용재류자확산-복합모형화수도복합모형대기진행계산,발현실온하기이상인자원대우2,병차수착온도적하강이승고;이수천능량삼수수온도변화불대.저설명전통적확산-복합재류자수운모형불재괄용우InGaN/GaN MQW람광LED.분석지출유우정격실배이급생장공예적제약,외연층중구유교고적결함밀도화계면능급밀도,도치기주요수운궤제위재류자적수천.
