半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
1期
47-51
,共5页
周静涛%朱洪亮%程远兵%王宝军%王圩
週靜濤%硃洪亮%程遠兵%王寶軍%王圩
주정도%주홍량%정원병%왕보군%왕우
He+离子注入%低能量%量子阱混杂%蓝移%FP腔激光器
He+離子註入%低能量%量子阱混雜%藍移%FP腔激光器
He+리자주입%저능량%양자정혼잡%람이%FP강격광기
提出了采用低能氦离子注入多量子阱(MQW)材料和合适的快速退火条件,实现了MQW带隙波长的蓝移.用这种材料制作了FP腔激光器,与未注入器件相比,实现了37nm的激射波长蓝移.
提齣瞭採用低能氦離子註入多量子阱(MQW)材料和閤適的快速退火條件,實現瞭MQW帶隙波長的藍移.用這種材料製作瞭FP腔激光器,與未註入器件相比,實現瞭37nm的激射波長藍移.
제출료채용저능양리자주입다양자정(MQW)재료화합괄적쾌속퇴화조건,실현료MQW대극파장적람이.용저충재료제작료FP강격광기,여미주입기건상비,실현료37nm적격사파장람이.
