半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
8期
1256-1261
,共6页
栅压%温度%功率密度
柵壓%溫度%功率密度
책압%온도%공솔밀도
研究 LDMOS在一次雪崩击穿后的大电流区,栅压对器件内部温度的影响.结果表明:温度随正栅压升高而升高,随负栅压升高而降低,并分析了有源区内电场强度、电流密度和功率密度随栅压的变化规律.从而证明,与LDMOS栅接地时相比,正栅压降低了器件的静电放电能力,而负栅压则提高了器件的静电放电能力.
研究 LDMOS在一次雪崩擊穿後的大電流區,柵壓對器件內部溫度的影響.結果錶明:溫度隨正柵壓升高而升高,隨負柵壓升高而降低,併分析瞭有源區內電場彊度、電流密度和功率密度隨柵壓的變化規律.從而證明,與LDMOS柵接地時相比,正柵壓降低瞭器件的靜電放電能力,而負柵壓則提高瞭器件的靜電放電能力.
연구 LDMOS재일차설붕격천후적대전류구,책압대기건내부온도적영향.결과표명:온도수정책압승고이승고,수부책압승고이강저,병분석료유원구내전장강도、전류밀도화공솔밀도수책압적변화규률.종이증명,여LDMOS책접지시상비,정책압강저료기건적정전방전능력,이부책압칙제고료기건적정전방전능력.
