应用于THz辐射的ZnTe单晶生长及测试
응용우THz복사적ZnTe단정생장급측시
Growth and Characteristics of ZnTe Single Crystal for THz Technology
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2008年 5期 940-943 ,共4页

    王仍%方维政%赵培%张雷%葛进%袁诗鑫%张惠尔%胡淑红%戴宁%陈晓姝%吴晓君%何山%王钢

    왕잉%방유정%조배%장뢰%갈진%원시흠%장혜이%호숙홍%대저%진효주%오효군%하산%왕강

    Te溶剂方法%ZnTe单晶%XRD%THz Te溶劑方法%ZnTe單晶%XRD%THz
    Te용제방법%ZnTe단정%XRD%THz
    利用Te溶剂方法生长出ZnTe单晶.经X射线衍射测试,发现晶锭中存在沿(110)晶向生长的大晶粒,可以切出10mm×10mm的单晶片.傅里叶红外变换光谱仪测得ZnTe晶体在2.5～20μm波段的红外透过率约为61%.通过测可见-红外波段的透射光谱,得出禁带宽度为2.24eV.利用飞秒激光作用在一块ZnTe单晶同时产生-探测THz脉冲,观察到0.18ps的THz辐射场分布,相应的频谱分布为5THz.
    이용Te용제방법생장출ZnTe단정.경X사선연사측시,발현정정중존재연(110)정향생장적대정립,가이절출10mm×10mm적단정편.부리협홍외변환광보의측득ZnTe정체재2.5～20μm파단적홍외투과솔약위61%.통과측가견-홍외파단적투사광보,득출금대관도위2.24eV.이용비초격광작용재일괴ZnTe단정동시산생-탐측THz맥충,관찰도0.18ps적THz복사장분포,상응적빈보분포위5THz.
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