核电子学与探测技术
覈電子學與探測技術
핵전자학여탐측기술
NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
2008年
4期
835-840,816
,共7页
龚建成%罗尹虹%郭红霞%周伯昭
龔建成%囉尹虹%郭紅霞%週伯昭
공건성%라윤홍%곽홍하%주백소
MOS器件%时间关联%脉冲总剂量效应
MOS器件%時間關聯%脈遲總劑量效應
MOS기건%시간관련%맥충총제량효응
本文建立了MOS器件脉冲总剂量效应时间关联响应的计算模型,包括空穴输运引起的短期恢复、深层俘获空穴引起的长期恢复以及界面态的长期建立,详细讨论了俘获空穴空间分布的差异对退火响应的影响以及温度差异对界面态建立的影响.计算结果和试验测量值符合较好,表明建立的计算模型是正确的.
本文建立瞭MOS器件脈遲總劑量效應時間關聯響應的計算模型,包括空穴輸運引起的短期恢複、深層俘穫空穴引起的長期恢複以及界麵態的長期建立,詳細討論瞭俘穫空穴空間分佈的差異對退火響應的影響以及溫度差異對界麵態建立的影響.計算結果和試驗測量值符閤較好,錶明建立的計算模型是正確的.
본문건립료MOS기건맥충총제량효응시간관련향응적계산모형,포괄공혈수운인기적단기회복、심층부획공혈인기적장기회복이급계면태적장기건립,상세토론료부획공혈공간분포적차이대퇴화향응적영향이급온도차이대계면태건립적영향.계산결과화시험측량치부합교호,표명건립적계산모형시정학적.
