人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2008年
5期
1187-1190
,共4页
雷青松%徐火希%王晓晶%季峰%徐静平
雷青鬆%徐火希%王曉晶%季峰%徐靜平
뢰청송%서화희%왕효정%계봉%서정평
p型微晶硅%界面处理%柔性太阳能电池
p型微晶硅%界麵處理%柔性太暘能電池
p형미정규%계면처리%유성태양능전지
采用等离子体辅助化学汽相沉积(PECVD)技术制备本征非晶硅薄膜,对p/i界面进行处理.在此基础上,制备P型微晶硅(μc-Si:H)薄膜与柔性太阳能电池.对P型硅薄膜及太阳能电池的性能进行研究.结果表明:对p/i界面采用H等离子体处理,再引入一定厚度的成核层,可以成功得到高电导率的P型微晶硅窗口层,提高柔性太阳能电池的光伏特性.其中的成核层,不仅促进微晶相P层的生长,还可以起到界面缓冲层的作用.
採用等離子體輔助化學汽相沉積(PECVD)技術製備本徵非晶硅薄膜,對p/i界麵進行處理.在此基礎上,製備P型微晶硅(μc-Si:H)薄膜與柔性太暘能電池.對P型硅薄膜及太暘能電池的性能進行研究.結果錶明:對p/i界麵採用H等離子體處理,再引入一定厚度的成覈層,可以成功得到高電導率的P型微晶硅窗口層,提高柔性太暘能電池的光伏特性.其中的成覈層,不僅促進微晶相P層的生長,還可以起到界麵緩遲層的作用.
채용등리자체보조화학기상침적(PECVD)기술제비본정비정규박막,대p/i계면진행처리.재차기출상,제비P형미정규(μc-Si:H)박막여유성태양능전지.대P형규박막급태양능전지적성능진행연구.결과표명:대p/i계면채용H등리자체처리,재인입일정후도적성핵층,가이성공득도고전도솔적P형미정규창구층,제고유성태양능전지적광복특성.기중적성핵층,불부촉진미정상P층적생장,환가이기도계면완충층적작용.
