人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2010年
6期
1349-1352
,共4页
黄巍%赵北君%朱世富%何知宇%陈宝军%李佳伟%虞游
黃巍%趙北君%硃世富%何知宇%陳寶軍%李佳偉%虞遊
황외%조북군%주세부%하지우%진보군%리가위%우유
CdGeAs2晶体%化学腐蚀剂%蚀坑形貌%缺陷分析
CdGeAs2晶體%化學腐蝕劑%蝕坑形貌%缺陷分析
CdGeAs2정체%화학부식제%식갱형모%결함분석
报道了一种新型的CdGeAs2晶体择优腐蚀剂,配方为:H2O2(30%): NH4OH(含NH325%-28%): NH4Cl(5mol/L): H2O=1 mL: 1.5 mL: 1.5 mL: 2 mL.将经机械研磨、物理抛光和溴甲醇化学抛光处理后的表面平整无划痕的CdGeAs2晶片,在40 ℃下超声振荡腐蚀数分钟,采用金相显微镜和SEM进行蚀坑观察.结果表明,新型腐蚀剂对CdGeAs2晶体(204)和(112)晶面择优腐蚀效果显著,蚀坑取向一致,具有很强的立体感;(204)晶面蚀坑呈三角锥形,(112)晶面蚀坑呈五边形,从晶体结构上对蚀坑形成机理进行了分析讨论.
報道瞭一種新型的CdGeAs2晶體擇優腐蝕劑,配方為:H2O2(30%): NH4OH(含NH325%-28%): NH4Cl(5mol/L): H2O=1 mL: 1.5 mL: 1.5 mL: 2 mL.將經機械研磨、物理拋光和溴甲醇化學拋光處理後的錶麵平整無劃痕的CdGeAs2晶片,在40 ℃下超聲振盪腐蝕數分鐘,採用金相顯微鏡和SEM進行蝕坑觀察.結果錶明,新型腐蝕劑對CdGeAs2晶體(204)和(112)晶麵擇優腐蝕效果顯著,蝕坑取嚮一緻,具有很彊的立體感;(204)晶麵蝕坑呈三角錐形,(112)晶麵蝕坑呈五邊形,從晶體結構上對蝕坑形成機理進行瞭分析討論.
보도료일충신형적CdGeAs2정체택우부식제,배방위:H2O2(30%): NH4OH(함NH325%-28%): NH4Cl(5mol/L): H2O=1 mL: 1.5 mL: 1.5 mL: 2 mL.장경궤계연마、물리포광화추갑순화학포광처리후적표면평정무화흔적CdGeAs2정편,재40 ℃하초성진탕부식수분종,채용금상현미경화SEM진행식갱관찰.결과표명,신형부식제대CdGeAs2정체(204)화(112)정면택우부식효과현저,식갱취향일치,구유흔강적입체감;(204)정면식갱정삼각추형,(112)정면식갱정오변형,종정체결구상대식갱형성궤리진행료분석토론.
