长春理工大学学报（自然科学版）
長春理工大學學報（自然科學版）
장춘리공대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF CHANGCHUN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2011年
4期
9-12
,共4页
王勇%余乃林%王丛舜%刘纪美
王勇%餘迺林%王叢舜%劉紀美
왕용%여내림%왕총순%류기미
金属有机物化学气相沉积%AlGaN/GaN高迁移率晶体管%Si图形衬底%双A1N插入层
金屬有機物化學氣相沉積%AlGaN/GaN高遷移率晶體管%Si圖形襯底%雙A1N插入層
금속유궤물화학기상침적%AlGaN/GaN고천이솔정체관%Si도형츤저%쌍A1N삽입층
双AIN插入层方法被用来在Si (111)图形衬底上进行AlGaN/GaN高迁移率晶体管(HEMT)的金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外延生长.Si图形衬底采用SiO2掩膜和漫法腐蚀(无掩膜)两种方法进行制备.高温生长双AIN插入层用来释放GaN外延层和Si衬底之间由于晶格失配和热失配而产生的张应力.AlGaN/GaN HEMT的生长特性被讨论和分析.在使用优化的双AIN插入层之前,可以在图形[1-100]方向观察到比[11-20]方向更多的由于应力而引起的裂纹.这是由于GaN在(1-100)面比(11-20)更稳定.建议在图形设计中,长边应沿着[11-20]方向进行制备.拉曼测试显示在图形凹角处比凸角处有更大的拉曼频移,证明在图形凹角处有更大的张应力.
雙AIN插入層方法被用來在Si (111)圖形襯底上進行AlGaN/GaN高遷移率晶體管(HEMT)的金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)外延生長.Si圖形襯底採用SiO2掩膜和漫法腐蝕(無掩膜)兩種方法進行製備.高溫生長雙AIN插入層用來釋放GaN外延層和Si襯底之間由于晶格失配和熱失配而產生的張應力.AlGaN/GaN HEMT的生長特性被討論和分析.在使用優化的雙AIN插入層之前,可以在圖形[1-100]方嚮觀察到比[11-20]方嚮更多的由于應力而引起的裂紋.這是由于GaN在(1-100)麵比(11-20)更穩定.建議在圖形設計中,長邊應沿著[11-20]方嚮進行製備.拉曼測試顯示在圖形凹角處比凸角處有更大的拉曼頻移,證明在圖形凹角處有更大的張應力.
쌍AIN삽입층방법피용래재Si (111)도형츤저상진행AlGaN/GaN고천이솔정체관(HEMT)적금속유궤물화학기상침적(MOCVD)외연생장.Si도형츤저채용SiO2엄막화만법부식(무엄막)량충방법진행제비.고온생장쌍AIN삽입층용래석방GaN외연층화Si츤저지간유우정격실배화열실배이산생적장응력.AlGaN/GaN HEMT적생장특성피토론화분석.재사용우화적쌍AIN삽입층지전,가이재도형[1-100]방향관찰도비[11-20]방향경다적유우응력이인기적렬문.저시유우GaN재(1-100)면비(11-20)경은정.건의재도형설계중,장변응연착[11-20]방향진행제비.랍만측시현시재도형요각처비철각처유경대적랍만빈이,증명재도형요각처유경대적장응력.
