CAJ | 학술논문

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法对CdnSen(1≤n≤12)团簇的几何结构进行优化,并对其能量、频率以及电子性质进行了模拟分析.结果表明,当n=1～3时,团簇的最低能量结构是平面结构,Cd-Se键长是影响硒化镉团簇总能量的重要因素；当n=4～12时,团簇的最低能量结构可以看成是由Cd2Se2和Cd3 Se3团簇的最低能量结构连接而成的三维结构,而Se-Cd-Se键角是影响硒化镉团簇总能量的主要因素.随着团簇尺寸的增大,转移的电荷逐渐增加,转移的电荷量有达到块体中电荷值的趋势.团簇的总能量二阶有限差分,平均结合能以及最高已占据轨道和最低未占据轨道的能隙都显示团簇的幻数为n=3,6和9.
채용기우밀도범함이론적제일성원리방법대CdnSen(1≤n≤12)단족적궤하결구진행우화,병대기능량、빈솔이급전자성질진행료모의분석.결과표명,당n=1～3시,단족적최저능량결구시평면결구,Cd-Se건장시영향서화력단족총능량적중요인소；당n=4～12시,단족적최저능량결구가이간성시유Cd2Se2화Cd3 Se3단족적최저능량결구련접이성적삼유결구,이Se-Cd-Se건각시영향서화력단족총능량적주요인소.수착단족척촌적증대,전이적전하축점증가,전이적전하량유체도괴체중전하치적추세.단족적총능량이계유한차분,평균결합능이급최고이점거궤도화최저미점거궤도적능극도현시단족적환수위n=3,6화9.