半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
4期
280-283
,共4页
碳化硅%微波功率器件%氧化%低压化学气相淀积%S波段
碳化硅%微波功率器件%氧化%低壓化學氣相澱積%S波段
탄화규%미파공솔기건%양화%저압화학기상정적%S파단
采用自主开发的4H-SiC高温氧化技术,并结合低压化学气相淀积方法,在器件表面形成较为致密的氧化层,降低了器件的反向泄漏电流,提高了器件的击穿电压,同时也提高了器件的输出功率及功率增益,为器件长期稳定可靠工作奠定了工艺基础.采用此技术后,单胞20 mm左右栅宽器件在2 GHz脉冲条件下(脉冲宽度300 μs,占空比10%)输出功率达78 W,比原工艺的器件输出功率提高了20 W以上,功率增益提高了1.5dB,达到8.9 dB左右,功率附加效率也从23%提升到32%,初步显示了该工艺技术在制备4H-SiC微波功率器件中的优势.
採用自主開髮的4H-SiC高溫氧化技術,併結閤低壓化學氣相澱積方法,在器件錶麵形成較為緻密的氧化層,降低瞭器件的反嚮洩漏電流,提高瞭器件的擊穿電壓,同時也提高瞭器件的輸齣功率及功率增益,為器件長期穩定可靠工作奠定瞭工藝基礎.採用此技術後,單胞20 mm左右柵寬器件在2 GHz脈遲條件下(脈遲寬度300 μs,佔空比10%)輸齣功率達78 W,比原工藝的器件輸齣功率提高瞭20 W以上,功率增益提高瞭1.5dB,達到8.9 dB左右,功率附加效率也從23%提升到32%,初步顯示瞭該工藝技術在製備4H-SiC微波功率器件中的優勢.
채용자주개발적4H-SiC고온양화기술,병결합저압화학기상정적방법,재기건표면형성교위치밀적양화층,강저료기건적반향설루전류,제고료기건적격천전압,동시야제고료기건적수출공솔급공솔증익,위기건장기은정가고공작전정료공예기출.채용차기술후,단포20 mm좌우책관기건재2 GHz맥충조건하(맥충관도300 μs,점공비10%)수출공솔체78 W,비원공예적기건수출공솔제고료20 W이상,공솔증익제고료1.5dB,체도8.9 dB좌우,공솔부가효솔야종23%제승도32%,초보현시료해공예기술재제비4H-SiC미파공솔기건중적우세.