人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2011年
5期
1115-1119
,共5页
隋妍萍%阮建明%李涛%蔡宏琨%何炜瑜%张德贤
隋妍萍%阮建明%李濤%蔡宏琨%何煒瑜%張德賢
수연평%원건명%리도%채굉곤%하위유%장덕현
GaSb多晶薄膜%共蒸发%衬底温度
GaSb多晶薄膜%共蒸髮%襯底溫度
GaSb다정박막%공증발%츤저온도
采用共蒸发的方法在玻璃衬底上制备出GaSb多晶薄膜材料.研究了薄膜生长速率与衬底温度、Ga源温度和Sb源温度的关系.通过XRD、UV-Vis、Hall效应和AFM等测试方法,研究了衬底温度对于GaSb薄膜的结构特性、光电性质以及表面形貌的影响.GaSb多晶薄膜具有(111)择优取向,薄膜的吸收系数达到105 cm-1,晶粒尺寸随衬底温度升高逐渐增大；衬底温度为540℃时,薄膜的迁移率达到127 cm2/V·s,空穴浓度为3×1017 cm-3.GaSb薄膜的表面粗糙度随温度增加而增加.
採用共蒸髮的方法在玻璃襯底上製備齣GaSb多晶薄膜材料.研究瞭薄膜生長速率與襯底溫度、Ga源溫度和Sb源溫度的關繫.通過XRD、UV-Vis、Hall效應和AFM等測試方法,研究瞭襯底溫度對于GaSb薄膜的結構特性、光電性質以及錶麵形貌的影響.GaSb多晶薄膜具有(111)擇優取嚮,薄膜的吸收繫數達到105 cm-1,晶粒呎吋隨襯底溫度升高逐漸增大；襯底溫度為540℃時,薄膜的遷移率達到127 cm2/V·s,空穴濃度為3×1017 cm-3.GaSb薄膜的錶麵粗糙度隨溫度增加而增加.
채용공증발적방법재파리츤저상제비출GaSb다정박막재료.연구료박막생장속솔여츤저온도、Ga원온도화Sb원온도적관계.통과XRD、UV-Vis、Hall효응화AFM등측시방법,연구료츤저온도대우GaSb박막적결구특성、광전성질이급표면형모적영향.GaSb다정박막구유(111)택우취향,박막적흡수계수체도105 cm-1,정립척촌수츤저온도승고축점증대；츤저온도위540℃시,박막적천이솔체도127 cm2/V·s,공혈농도위3×1017 cm-3.GaSb박막적표면조조도수온도증가이증가.
