科技创新导报
科技創新導報
과기창신도보
SCIENCE AND TECHNOLOGY CONSULTING HERALD
2010年
32期
112-113
,共2页
王芳杰%郭忠达%阳志强%刘卫国%杭凌侠%陈智利
王芳傑%郭忠達%暘誌彊%劉衛國%杭凌俠%陳智利
왕방걸%곽충체%양지강%류위국%항릉협%진지리
磁流变抛光%碳化硅%亚表面破坏层%粗糙度
磁流變拋光%碳化硅%亞錶麵破壞層%粗糙度
자류변포광%탄화규%아표면파배층%조조도
针对传统光学加工中碳化硅表面质量精度低和难于加工的特点,提出用磁流变直接加工碳化硅表面的工艺流程.采用自行研制的磁流变抛光机对mm的6H-SiC进行了抛光实验研究.结果表明,直径为40mm的碳化硅材料圆柱体,硅面经过20min的磁流变粗抛, 表面粗糙度Ra提升至5.9nm,亚表面破坏层深度降至35.764nm,经过磁流变精抛和超精抛,表面粗糙度最终提升至0.5nm,亚表面破坏层深度降至1.4893nm,表面变得非常平坦,无划痕.由此表明,所采用的工艺流程可以实现碳化硅表面的纳米级抛光和非常小的亚表面破坏层深度.
針對傳統光學加工中碳化硅錶麵質量精度低和難于加工的特點,提齣用磁流變直接加工碳化硅錶麵的工藝流程.採用自行研製的磁流變拋光機對mm的6H-SiC進行瞭拋光實驗研究.結果錶明,直徑為40mm的碳化硅材料圓柱體,硅麵經過20min的磁流變粗拋, 錶麵粗糙度Ra提升至5.9nm,亞錶麵破壞層深度降至35.764nm,經過磁流變精拋和超精拋,錶麵粗糙度最終提升至0.5nm,亞錶麵破壞層深度降至1.4893nm,錶麵變得非常平坦,無劃痕.由此錶明,所採用的工藝流程可以實現碳化硅錶麵的納米級拋光和非常小的亞錶麵破壞層深度.
침대전통광학가공중탄화규표면질량정도저화난우가공적특점,제출용자류변직접가공탄화규표면적공예류정.채용자행연제적자류변포광궤대mm적6H-SiC진행료포광실험연구.결과표명,직경위40mm적탄화규재료원주체,규면경과20min적자류변조포, 표면조조도Ra제승지5.9nm,아표면파배층심도강지35.764nm,경과자류변정포화초정포,표면조조도최종제승지0.5nm,아표면파배층심도강지1.4893nm,표면변득비상평탄,무화흔.유차표명,소채용적공예류정가이실현탄화규표면적납미급포광화비상소적아표면파배층심도.
