材料导报
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재료도보
MATERIALS REVIEW
2010年
18期
100-103
,共4页
6H-SiC SiCGe薄膜%低压化学气相沉积%X射线光电子能谱
6H-SiC SiCGe薄膜%低壓化學氣相沉積%X射線光電子能譜
6H-SiC SiCGe박막%저압화학기상침적%X사선광전자능보
采用低压化学气相沉积法在6H-SiC衬底上成功地生长了高Ge、C组分的SiCGe薄膜,利用XPS和XRD对样品进行了综合测试分析,研究了SiCGe薄膜的组分和结构特征,讨论了XRD峰位与薄膜的组分结构的关系,为进一步改善薄膜的性能提供了依据.结合XPS和XRD综合分析可知, 薄膜中Ge、C组分高达30.86%和9.06%,确为SiCGe相,并不是SiGe和SiC的简单结合.测试发现,SiCGe多晶薄膜为立方结构,在〈110〉和〈310〉方向上择优生长.
採用低壓化學氣相沉積法在6H-SiC襯底上成功地生長瞭高Ge、C組分的SiCGe薄膜,利用XPS和XRD對樣品進行瞭綜閤測試分析,研究瞭SiCGe薄膜的組分和結構特徵,討論瞭XRD峰位與薄膜的組分結構的關繫,為進一步改善薄膜的性能提供瞭依據.結閤XPS和XRD綜閤分析可知, 薄膜中Ge、C組分高達30.86%和9.06%,確為SiCGe相,併不是SiGe和SiC的簡單結閤.測試髮現,SiCGe多晶薄膜為立方結構,在〈110〉和〈310〉方嚮上擇優生長.
채용저압화학기상침적법재6H-SiC츤저상성공지생장료고Ge、C조분적SiCGe박막,이용XPS화XRD대양품진행료종합측시분석,연구료SiCGe박막적조분화결구특정,토론료XRD봉위여박막적조분결구적관계,위진일보개선박막적성능제공료의거.결합XPS화XRD종합분석가지, 박막중Ge、C조분고체30.86%화9.06%,학위SiCGe상,병불시SiGe화SiC적간단결합.측시발현,SiCGe다정박막위립방결구,재〈110〉화〈310〉방향상택우생장.
