电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2010年
8期
37-40
,共4页
王春栋%李幸和%顾爱军%赵金茹%刘国柱
王春棟%李倖和%顧愛軍%趙金茹%劉國柱
왕춘동%리행화%고애군%조금여%류국주
多晶刻蚀%倾斜角度%最优化条件%等离子
多晶刻蝕%傾斜角度%最優化條件%等離子
다정각식%경사각도%최우화조건%등리자
文章基于Mintab软件,运用Precision 5000等离子刻蚀技术研究0.8μm多晶栅刻蚀中功率、压力、HBr流量、Cl2流量对刻蚀效果的影响.获得了四个因素对刻蚀效果影响的主次关系,同时由Mintab软件分析获得了各因子效应的pareto图,各因素对多晶条倾斜角度影响的主效应图,各因子对刻蚀效果的正态分布图,并拟合获得了多晶栅刻蚀的最优化条件.运用最优化条件刻蚀多晶栅,其结果表明剖面倾斜角度及表面形貌均能达到MOS器件的工艺制造要求.
文章基于Mintab軟件,運用Precision 5000等離子刻蝕技術研究0.8μm多晶柵刻蝕中功率、壓力、HBr流量、Cl2流量對刻蝕效果的影響.穫得瞭四箇因素對刻蝕效果影響的主次關繫,同時由Mintab軟件分析穫得瞭各因子效應的pareto圖,各因素對多晶條傾斜角度影響的主效應圖,各因子對刻蝕效果的正態分佈圖,併擬閤穫得瞭多晶柵刻蝕的最優化條件.運用最優化條件刻蝕多晶柵,其結果錶明剖麵傾斜角度及錶麵形貌均能達到MOS器件的工藝製造要求.
문장기우Mintab연건,운용Precision 5000등리자각식기술연구0.8μm다정책각식중공솔、압력、HBr류량、Cl2류량대각식효과적영향.획득료사개인소대각식효과영향적주차관계,동시유Mintab연건분석획득료각인자효응적pareto도,각인소대다정조경사각도영향적주효응도,각인자대각식효과적정태분포도,병의합획득료다정책각식적최우화조건.운용최우화조건각식다정책,기결과표명부면경사각도급표면형모균능체도MOS기건적공예제조요구.
