传感器世界
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전감기세계
SENSOR WORLD
2008年
9期
35-37
,共3页
InSb-In%共晶体薄膜%磁敏电阻%双限温控器
InSb-In%共晶體薄膜%磁敏電阻%雙限溫控器
InSb-In%공정체박막%자민전조%쌍한온공기
本文设计一种用锑化铟-铟-铟(InSb-In)共晶体薄膜磁敏电阻(MR)制成的双限温控器.实验表明,用InSb-In磁敏电阻作感温磁头设计的此温控器,具有灵敏度高,控温范围宽的优点,实验证明在低温区其灵敏度可以高达30mV/℃以上,常温下也可达到23 mV/℃左右;其上下限温度调整范围可以从-40℃到+120℃之间;测温精度可达到±0.1℃.;另外它还具有性能稳定和对材料要求低等诸多优点,是一种值得推广应用的新型材料温度开关.
本文設計一種用銻化銦-銦-銦(InSb-In)共晶體薄膜磁敏電阻(MR)製成的雙限溫控器.實驗錶明,用InSb-In磁敏電阻作感溫磁頭設計的此溫控器,具有靈敏度高,控溫範圍寬的優點,實驗證明在低溫區其靈敏度可以高達30mV/℃以上,常溫下也可達到23 mV/℃左右;其上下限溫度調整範圍可以從-40℃到+120℃之間;測溫精度可達到±0.1℃.;另外它還具有性能穩定和對材料要求低等諸多優點,是一種值得推廣應用的新型材料溫度開關.
본문설계일충용제화인-인-인(InSb-In)공정체박막자민전조(MR)제성적쌍한온공기.실험표명,용InSb-In자민전조작감온자두설계적차온공기,구유령민도고,공온범위관적우점,실험증명재저온구기령민도가이고체30mV/℃이상,상온하야가체도23 mV/℃좌우;기상하한온도조정범위가이종-40℃도+120℃지간;측온정도가체도±0.1℃.;령외타환구유성능은정화대재료요구저등제다우점,시일충치득추엄응용적신형재료온도개관.