光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2008年
2期
191-195
,共5页
焦世龙%叶玉堂%陈堂胜%杨先明%李拂晓%邵凯%吴云峰
焦世龍%葉玉堂%陳堂勝%楊先明%李拂曉%邵凱%吳雲峰
초세룡%협옥당%진당성%양선명%리불효%소개%오운봉
PIN光探测器%分布放大器%光接收机%眼图
PIN光探測器%分佈放大器%光接收機%眼圖
PIN광탐측기%분포방대기%광접수궤%안도
采用0.5 μm GaAs PHEMT工艺,研制了一种PIN光探测器和分布放大器单片集成850 nm光接收机前端. 探测器光敏面直径为30 μm,电容为0.25 pF,10 V反向偏压下的暗电流小于20 nA.分布放大器-3 dB带宽接近20 GHz,跨阻增益约46 dBΩ;在50 MHz～16 GHz范围内,输入、输出电压驻波比均小于2;噪声系数在3.03～6.50 dB之间.单片集成光接收机前端在1.0和2.5 Gb/s非归零(NRZ)伪随机二进制序列(PRBS)调制的光信号下得到较为清晰的输出眼图.
採用0.5 μm GaAs PHEMT工藝,研製瞭一種PIN光探測器和分佈放大器單片集成850 nm光接收機前耑. 探測器光敏麵直徑為30 μm,電容為0.25 pF,10 V反嚮偏壓下的暗電流小于20 nA.分佈放大器-3 dB帶寬接近20 GHz,跨阻增益約46 dBΩ;在50 MHz～16 GHz範圍內,輸入、輸齣電壓駐波比均小于2;譟聲繫數在3.03～6.50 dB之間.單片集成光接收機前耑在1.0和2.5 Gb/s非歸零(NRZ)偽隨機二進製序列(PRBS)調製的光信號下得到較為清晰的輸齣眼圖.
채용0.5 μm GaAs PHEMT공예,연제료일충PIN광탐측기화분포방대기단편집성850 nm광접수궤전단. 탐측기광민면직경위30 μm,전용위0.25 pF,10 V반향편압하적암전류소우20 nA.분포방대기-3 dB대관접근20 GHz,과조증익약46 dBΩ;재50 MHz～16 GHz범위내,수입、수출전압주파비균소우2;조성계수재3.03～6.50 dB지간.단편집성광접수궤전단재1.0화2.5 Gb/s비귀령(NRZ)위수궤이진제서렬(PRBS)조제적광신호하득도교위청석적수출안도.
