物理学报
物理學報
물이학보
2007年
11期
6680-6684
,共5页
禹争光%马衍伟%王栋樑%张现平%高召顺%K. Watanabe%黄伟文
禹爭光%馬衍偉%王棟樑%張現平%高召順%K. Watanabe%黃偉文
우쟁광%마연위%왕동량%장현평%고소순%K. Watanabe%황위문
铁基MgB2线材%纳米SiC掺杂%临界电流均匀性%强磁场
鐵基MgB2線材%納米SiC摻雜%臨界電流均勻性%彊磁場
철기MgB2선재%납미SiC참잡%림계전류균균성%강자장
采用原位粉末装管工艺,分别以Mg粉(99.5%),无定形B粉(99.9%)为原料,以纳米SiC(10-30 nm)作为掺杂材料制备铁基MgB2线.首先将已混合的原料在丙酮介质中球磨,真空干燥后,将粉末填入铁管内,然后通过孔型轧制、旋锻和拉拔等冷加工工艺得到11 m长外径Ф1.75 mm铁基MgB2超导线.用扫描电镜,电子能谱,X射线衍射仪和超导量子干涉仪测试发现,样品微观结构整齐,晶粒大小均匀,内部仅含微量MgO,TC(onset)= 35.1 K,ΔTC＝5.3 K.纳米SiC掺杂后,其中C造成MgB2晶格畸变,形成有效磁通钉扎中心,C元素在MgB2中分布均匀.标准四引线测试结果表明,11 m线均分10段后,各点的Jc(4.2 K,10 T)均超过1.0×104 A/cm2,最高值达到1.2×104 A/cm2.在10-18T范围各点临界电流值分布均匀,变化率小于10%.
採用原位粉末裝管工藝,分彆以Mg粉(99.5%),無定形B粉(99.9%)為原料,以納米SiC(10-30 nm)作為摻雜材料製備鐵基MgB2線.首先將已混閤的原料在丙酮介質中毬磨,真空榦燥後,將粉末填入鐵管內,然後通過孔型軋製、鏇鍛和拉拔等冷加工工藝得到11 m長外徑Ф1.75 mm鐵基MgB2超導線.用掃描電鏡,電子能譜,X射線衍射儀和超導量子榦涉儀測試髮現,樣品微觀結構整齊,晶粒大小均勻,內部僅含微量MgO,TC(onset)= 35.1 K,ΔTC＝5.3 K.納米SiC摻雜後,其中C造成MgB2晶格畸變,形成有效磁通釘扎中心,C元素在MgB2中分佈均勻.標準四引線測試結果錶明,11 m線均分10段後,各點的Jc(4.2 K,10 T)均超過1.0×104 A/cm2,最高值達到1.2×104 A/cm2.在10-18T範圍各點臨界電流值分佈均勻,變化率小于10%.
채용원위분말장관공예,분별이Mg분(99.5%),무정형B분(99.9%)위원료,이납미SiC(10-30 nm)작위참잡재료제비철기MgB2선.수선장이혼합적원료재병동개질중구마,진공간조후,장분말전입철관내,연후통과공형알제、선단화랍발등랭가공공예득도11 m장외경Ф1.75 mm철기MgB2초도선.용소묘전경,전자능보,X사선연사의화초도양자간섭의측시발현,양품미관결구정제,정립대소균균,내부부함미량MgO,TC(onset)= 35.1 K,ΔTC＝5.3 K.납미SiC참잡후,기중C조성MgB2정격기변,형성유효자통정찰중심,C원소재MgB2중분포균균.표준사인선측시결과표명,11 m선균분10단후,각점적Jc(4.2 K,10 T)균초과1.0×104 A/cm2,최고치체도1.2×104 A/cm2.재10-18T범위각점림계전류치분포균균,변화솔소우10%.
